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發布時間：2020-10-06 17:41
電池片的檢驗
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STF 印制：
A 級：
標識要有虛印、粗印現象（字母線寬度應小于 0.22mm ）但仍可辨識時作為 A 級。若標識存在缺印但仍可辨識時，按字母高度的 1/3 判定，缺失長度小于字母高度 1/3 。
B 級：
標識要有虛印、粗印現象，字母線寬度應小于 0.22mm ，但仍可辨識時，如實心“ P ”，若標識存在缺印但仍可辨識時，按字母高度的
1/3 判定，缺失長度小于字母高度 1/3 。
C 級：
若字母變形或無法辨識時直接降為 C 級。
新的標準與舊的相同
缺陷片：
1． 主柵線或副柵線或背電極或背電場超出 c 級降級片的要求時，但仍有利用價值的片子。
2． 由于存儲不當造成成電極氧化時，直接以報廢片處理
3． 僅印刷烘干而沒有經過燒結的電池片，如果還有利用價值，則租鋪位缺陷片處理
4． 完全未印制背電場的電池片作缺陷片處理。
5． 疊片仍有利用價值的作為缺陷片，如果全疊片則作為報廢片處理。
電池片的制作工藝
1. 通過測試數據監控生產電池片的效率及暗電流等參數是否正常。
2. 對生產的電池片進行分檔，將相同電性能的電池片分在一起以便做成組件。
標準測試條件
1. 光源輻照度： 1000W/m2 。
2. 測試溫度： 25℃ 。
3.AM1.5地面太陽光譜輻照度分布。
測試參數
1. 開路電壓
在一定的溫度和輻照度條件下，太陽電池在空載情況下的端電壓，用 V oc 表示， PN 結開路，即 I=0 ，此時 PN 結兩端的電壓即為開路電壓。將I=0 代入伏安特性方程得：
KTln(I L /I S 1)/q 。太陽電池的開路電壓與電池面積大小無關。太陽電池的開路電壓與入射光譜輻照度的對數成正比。
電池片區別
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電池片差別
太陽電池開始面世的是單晶硅太陽電池。硅是宇宙上極豐富多彩的這種原素，基本上滿地常有硅的存有，百口莫辯取之不竭，用硅來生產制造太陽電池，原材料可以說不缺。可是提煉出它卻不易，因此大家在生產制造單晶硅太陽電池的一起，又科學研究了多晶硅太陽電池和非晶硅太陽電池，迄今商業服務經營規模生產制造的太陽電池，都還沒跳出來硅的系列產品。我覺得能夠生產制造太陽電池的半導體器件許多，隨之原材料工業生產的發展趨勢、太陽電池的種類將很多。現階段已開展科學研究和研發的太陽電池，除硅系列產品外，也有硫化鎘、砷化鎵、銅銦硒等很多種類的太陽電池，不勝枚舉，下列詳細介紹幾類較普遍的太陽電池。歸類單晶硅太陽電池。
單晶硅片
單晶硅片
當今開發設計得更快的這種太陽電池，它的組成和生產工藝流程已定形，商品已普遍用以宇宙空間和路面設備。這類太陽電池以高純度的單晶硅棒為原材料，純凈度規定99.999%。以便降低成本成本費，如今路面運用的太陽電池等選用太陽能發電級的單晶硅棒，原材料性能參數有一定的放開。有的也可應用集成電路工藝生產加工的頭尾料和廢次單晶硅原材料，歷經復拉做成太陽電池專用型的單晶硅棒。將單晶硅棒切一片，通常片厚約0.3mm。硅片歷經成型、研磨拋光、清理等工藝流程，做成待生產加工的原材料硅片。生產加工太陽電池片，先要在硅片上夾雜和外擴散，通常夾雜物為微量分析的硼、磷、銻等。外擴散是在石英管做成的高溫擴散爐中開展。那樣就在硅片上產生P/FONT>N 結。然后采用絲網印刷法，將配好的銀漿印在硅片上做成柵線，經過燒結，同時制成背電極，并在有柵線的面涂覆減反射源，以防大量的光子被光滑的硅片表面反射掉，至此，單晶硅太陽電池的單體片就制成了。單體片經過抽查檢驗，即可按所需要的規格組裝成太陽電池組件（太陽電池板），用串聯和并聯的方法構成一定的輸出電壓和電流，后用框架和封裝材料進行封裝。用戶根據系統設計，可將太陽電池組件組成各種大小不同的太陽電池方陣，亦稱太陽電池陣列。目前單晶硅太陽電池的光電轉換效率為 15% 左右，實驗室成果也有 20% 以上的。用于宇宙空間站的還有高達 50% 以上的太陽能電池板。
