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反應性離子刻蝕

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反應性離子刻蝕 （reaction ionetching；RIE）是制作半導體集成電路的蝕刻工藝之一。在除去不需要的集成電路板上的保護膜時，利用反應性氣體的離子束，切斷保護膜物質的化學鍵，使之產生低分子物質，揮發或游離出板面，這樣的方法稱為反應性離子刻蝕。

離子束刻蝕機

離子束刻蝕是從工件上去除材料，是一個撞擊濺射過程。

當離子束轟擊工件，入射離子與靶原子碰撞時將動能傳遞給靶原子，使其獲得的能量超過原，子的結合能，導致靶原子發生濺射，從工件表，面濺射出來，以達到刻蝕的目的。

刻蝕加工時，對離子入射能量、束流大小、離子入射角度以及工作室壓力都需要根據不同的加工需求進行調整。

離子束刻蝕可以在加工、表面拋光、石英晶體諧振器制作等方面得到應用。

離子束刻蝕是通過物理濺射功能進行加工的離子銑。國內應用廣泛的雙柵考夫曼刻蝕機通常由屏柵和加速柵組成離子光學系統，其工作臺可以方便地調整傾角，使碲鎘gong基片法線與離子束的入射方向成θ角，并繞自身的法線旋轉，如圖1所示。評價溝槽輪廓主要的參數有溝槽的開口寬度We、溝槽的刻蝕深度H、臺面的坡度角φ和溝槽底部的寬度Wb。我們常用的深寬比（Aspectratio）是指槽深H和槽開口寬度We的比值，本文中用R表示。深寬比是常用來作為衡量刻蝕工藝水平和刻蝕圖形好壞的評價參數。