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              曝光顯影報價信息推薦「多圖」

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              發布時間:2020-10-30 06:27  

              蝕刻:蝕刻(etching)是將材料使用bai化學反應或物理du撞擊作用而移除的技術。蝕刻的原理zhi是氧化還原反應中的置換dao反應:2AgNo3 Cu=Cu(No3)*2 2Ag。利用蝕刻液與銅層反應,蝕去線路板上不需要的銅,得到所要求的線路。蝕刻技術可以分為濕蝕刻(wet etching)和干蝕刻(dry etching)兩類。

              顯影:顯影是在印刷、影印、復印、曬圖等行業中,讓影像顯現的一個過程。通過堿液作用,將未發生光聚合反應之感光材料部分沖掉。顯影包括正顯影和反轉顯影。



              在曝光機橡皮膜接觸菲林底片一側粘上一塊絨布,絨毛朝菲林底片,絨布的背面繞上幾圈銅絲,銅絲與橡皮膜的接地線相連,防止絨布產生靜電。絨布和橡皮膜之間不好粘貼,要選用合適的膠水,但不宜使用含有有機溶液的膠水,否則容易損壞橡皮膜。此法生產效率較高,但同樣不能杜絕偏移。

              以上幾種方法中,實用的是前面一種。雖然效率低些,但相對于因偏移造成返工甚至使PCB報廢而言還是值得采用的。





              正膠顯影:正性光刻i膠的曝光區的光刻膠在顯影液中溶解,在光刻膠上形成三維圖形。

              負膠顯影:在負性光刻膠的非曝光區的光刻膠在顯影液中溶解,在光刻膠上形成三維圖形。

              正膠具有很好的對比度,所以生成的圖形具有良好的分辨率,其他特性如,臺階覆蓋好、對比度好;粘附性差、抗刻蝕能力差、高成本。

              負膠的特性為,具有良好的粘附能力和阻擋作用、感光速度快;顯影時發生變形和膨脹,所以只能用于2μm的分辨率。




              蝕刻:蝕刻是將材料使用化學反應或物理撞擊作用而移除的技術。利用蝕刻液與銅層反應,蝕去線路板上不需要的銅,得到所要求的線路。蝕刻技術可以分為濕蝕刻和干蝕刻兩類。

              這被稱作為“抗蝕層”。在蠟層中刻出圖案,使底下的金屬部分顯露出來。制備好的金屬材料被浸漬在鹽酸或者肖酸溶液中,直至其暴露的區域被刻蝕到所需的深度。之后將抗蝕層清除,就可展現出蝕刻的成品樣子。燙金或者發黑都可以被用于突出圖案。金屬蝕刻制品上的圖案往往比傳統雕刻更方便而代價更少。



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