NR7 6000P光刻膠廠家近期行情

光刻膠的應用

光刻膠的應用

       1975年，美國的國際半導體設備與材料協會首先為微電子工業配套的超凈高純化學品制定了國際統一標準——SEMI標準。1978年，德國的伊默克公司也制定了MOS標準。兩種標準對超凈高純化學品中金屬雜質和(塵埃)微粒的要求各有側重，分別適用于不同級別IC的制作要求。預計2017和2018年全球半導體用光刻膠市場將分別達到15。其中，SEMI標準更早取得世界范圍內的普遍認可。

光刻膠市場

我國光刻膠市場規模2015年已達51.7億元，同比增長11%，高于國際市場增速，但全球占比仍不足15%，發展空間巨大。2015年我國光刻膠產量為9.75萬噸，而需求量為10.12萬噸，依照需求量及產量增速預計，未來仍將保持供不應求的局面。據智研咨詢估計，得益于我國平面顯示和半導體產業的發展，我國光刻膠市場需求，在2022年可能突破27.2萬噸。在光刻膠生產種類上，我國光刻膠廠商主要生產PCB光刻膠，而LCD光刻膠和半導體光刻膠生產規模較小，相關光刻膠主要依賴進口。前道工藝出了問題，保證不了科研與生產，光刻膠國產化就遙遙無期。放眼國際市場，光刻膠也主要被美國Futurrex 的光刻膠、日本合成橡膠（JSR）、東京應化（TOK）、住友化學、美國杜邦、德國巴斯夫等化工寡頭壟斷。

光刻工藝主要性一

光刻膠不僅具有純度要求高、工藝復雜等特征，還需要相應光刻機與之配對調試。一般情況下，一個芯片在制造過程中需要進行10~50道光刻過程，由于基板不同、分辨率要求不同、蝕刻方式不同等，不同的光刻過程對光刻膠的具體要求也不一樣，即使類似的光刻過程，不同的廠商也會有不同的要求。據悉，經過項目組全體成員的努力攻關，完成了EUV光刻膠關鍵材料的設計、制備和合成工藝研究、配方組成和光刻膠制備、實驗室光刻膠性能的初步評價裝備的研發，達到了任務書中規定的材料和裝備的考核指標。

針對不同應用需求，光刻膠的品種非常多，這些差異主要通過調整光刻膠的配方來實現。因此，通過調整光刻膠的配方，滿足差異化的應用需求，是光刻膠制造商核心的技術。

此外，由于光刻加工分辨率直接關系到芯片特征尺寸大小，而光刻膠的性能關系到光刻分辨率的大小。限制光刻分辨率的是光的干涉和衍射效應。光刻分辨率與曝光波長、數值孔徑和工藝系數相關。