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化學氣相沉積技術的使用

生產晶須：

晶須屬于一種以為發育的單晶體，它在符合材料范疇中有著很大的作用，能夠用于生產一些新型復合材料。 化學氣相沉積法在生產晶須時使用的是金屬鹵化物的氫還原性質。等離子刻蝕機簡介等離子刻蝕機，又叫等離子蝕刻機、等離子平面刻蝕機、等離子體刻蝕機、等離子表面處理儀、等離子清洗系統等。化學氣相沉積法不但能制備出各類金屬晶須，同時也能生產出化合物晶須，比如氧化鋁、金剛砂、碳化鈦晶須等等。

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化學氣相沉積法在金屬材料方面的使用

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化學氣相沉積法生產金屬銥高溫涂層從20世紀80年代起，NASA 開始嘗試使用金屬有機化合物化學氣相沉積法制取出使用錸基銥作為涂層的復合噴管，并獲得了成功，這時化學氣相沉積法在生產金屬涂層領域才有了一定程度上的突破。

NASA 使用了C15H21IrO6作為制取銥涂層的材料，并利用 C15H21IrO6的熱分解反應進行沉積。銥的沉積速度很快，可以達到3~20μm/h。 沉積厚度也達到了50μm，C15H21IrO6的制取效率達 70%以上。

PCVD工藝的具體流程

PCVD工藝的具體流程如下：

(1)沉積。沉積過程借助低壓等離子體使流進高純度石英玻璃沉積管內的氣態鹵化物和氧氣在1000℃以上的高溫條件下直接沉積成設計要求的光纖芯中玻璃的組成成分。

(2)熔縮。沿管子方向往返移動的石墨電阻爐對小斷旋轉的管子加熱到大約2200℃，在表面張力的作用下，分階段將沉積好的石英管熔縮成一根實心棒(預制棒)。

(3)套棒。為獲得光纖芯層與包層材料的適當比例，將熔縮后的石英棒套入一根截面積經過精心挑選的管子中，這樣裝配后即可進行拉絲。

(4)拉絲。套棒被安裝在拉絲塔的頂部，下端緩緩放入約2100℃的高溫爐中，此端熔化后被拉成所需包層直徑的光纖(通常為125 cm)，并進行雙層涂覆和紫外固化。

(5)光纖測試。拉出的光纖要經過各種試，以確定光纖的幾何、光學和機械性能。

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