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LED芯片材料磊晶種類

1.LPE：Liquid Phase Epitaxy(液相磊晶法) GaP/GaP

2.VPE：Vapor Phase Epitaxy(氣相磊晶法) GaAsP/GaAs

3.MOVPE：metal Organic Vapor Phase Epitaxy (有機金屬氣相磊晶法) AlGaInP、GaN

4.SH：GaAlAs/GaAs Single Heterostructure(單異型結構)GaAlAs/GaAs

5.DH：GaAlAs/GaAs Double Heterostructure(雙異型結構) GaAlAs/GaAs

6.DDH：GaAlAs/GaAlAs Double Heterostructure(雙異型結構) GaAlAs/GaAlAs

LED模組就是把LED（發光二極管）按一定規則排列在一起再封裝起來，加上一些防水處理組成的產品。就是LED模組。

按密封性又可以分為防水和不防水兩種。防水和不防水的模組主要是看應用環境來區分的，一般防水的LED模組可以運用于戶外照明和宣傳使用，它不會因為進水而發生問題，更適合惡劣的環境應用，而不防水模組則主要是室內用的比較多。

按照LED的形狀LED模組分為：直插式LED模組，食人魚LED模組，貼片LED模組。

   國家對ＬＥＤ產業的發展也給予了大力支持。２００６年，根據我國半導體照明產業的發展現狀，有關部門制定半導體照明產業發展計劃和２００６年技術發展路線圖提出，對于ＬＥＤ芯片的投資將占ＬＥＤ產業投資的２０％，研究重點將放在ＧａＮ芯片的生產以及功率芯片的研發上。

   雖然擁有極大的市場需求并得到有關部門的大力支持，但不可否認的是，現階段ＬＥＤ芯片產業仍然存在核心技術缺乏、人才短缺、產品質量不高、設備自主生產能力弱等發展困境。如何解決上述問題是我國ＬＥＤ產業能否持續健康快速發展的關鍵。

   王瑩認為，ＬＥＤ芯片產業的快速發展將助推ＬＥＤ產業整體升級。在ＬＥＤ芯片產業的發展過程中，早期產品主要以普通亮度芯片為主，生產廠商也只有南昌欣磊等少數幾家。２００３年以后，以廈門三安、大連路美為代表的芯片生產企業針對芯片市場的需求，紛紛把產品重點集中到高亮度芯片上，直接帶動了高亮度芯片產量的快速增長。一時間，國內掀起了ＬＥＤ芯片產業發展的熱潮，高亮度芯片成為ＬＥＤ芯片產業發展的主要推動力。２００６年，我國ＬＥＤ芯片產量達到３０９．３億個，產值達到１１．９億元。

   隨著ＬＥＤ芯片生產企業的不斷增多，ＬＥＤ芯片產值的增長速度一直高于封裝環節，導致芯片產值在我國ＬＥＤ產業產值中所占比重不斷提升，由２００２年的５．４％上升至２００６年的１１．３％。由此可見，我國ＬＥＤ產業正在由低端走向，向附加值更高、更具核心價值的芯片環節邁進。

   據王瑩預測，２００８年高亮度芯片產量將超過普通亮度芯片，ＬＥＤ芯片產業進入高亮度時代。在很長一段時間內，企業將會把投資重點放在高亮度芯片的生產上。