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              NR9 3000P光刻膠公司承諾守信「多圖」

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              發(fā)布時間:2020-07-23 07:45  






              正性光刻膠

              正性光刻膠

              正性光刻膠也稱為正膠。正性光刻膠樹脂是一種叫做線性酚醛樹脂的酚醛甲醛,提供光刻膠的粘附性、化學抗蝕性,當沒有溶解存在時,線性酚醛樹脂會溶解在顯影液中,感光劑是光敏化合物,常見的是重氮萘醌(DNQ)。在曝光前,DNQ是一種強烈的溶解,降低樹脂的溶解速度。在紫外曝光后,DNQ在光刻膠中化學分解,成為溶解度增強劑,大幅提高顯影液中的溶解度因子至100或者更高。這種曝光反應會在DNQ中產生羧酸,它在顯影液中溶解度很高。2μm品牌產地型號厚度耐熱溫度應用Futurrex美國PR1-500A0。正性光刻膠具有很好的對比度,所以生成的圖形具有良好的分辨率。


              光刻膠市場

              全球光刻膠市場擴增,對光刻膠的總需求不斷提升。據估計,2015年國際光刻膠市場達73.6億美元,其中PCB光刻膠占比24.5%,LCD光刻膠占26.6%,半導體光刻膠占比24.1%。2010年到2015年期間,國際光刻膠市場年復合增長率約為5.8%;同種厚度的正負膠,在對于抗?jié)穹ê透g性方面負膠更勝一籌,正膠難以企及。據中國產業(yè)信息網數據,2015年,PCB光刻膠、LCD光刻膠和半導體光刻膠的國際市場增速均在5%左右。在下游產業(yè)的帶動下,江瀚咨詢預計國際光刻膠市場規(guī)模在2022年可能突破100億美元。


              光刻膠去除

              半導體器件制造技術中,通常利用光刻工藝將掩膜板上的掩膜圖形轉移到半導體結構表面的光刻膠層中。通常光刻的基本工藝包括涂膠、曝光和顯影等步驟。

              在現有技術中,去除光刻膠層的方法是利用等離子體干法去膠。將帶有光刻膠層的半導體結構置于去膠機內,在射頻電壓的能量的作用下,灰化氣體被解離為等離子體。所述等離子體和光刻膠發(fā)生反應,從而將光刻膠層去除。

              而在一些半導體器件設計時,考慮到器件性能要求,需要對特定區(qū)域進行離子注入,使其滿足各種器件不同功能的要求。一部分閃存產品前段器件形成時,需要利用前面存儲單元cell區(qū)域的層多晶硅與光刻膠共同定義摻雜的區(qū)域,由于光刻膠是作為高濃度金屬摻雜時的阻擋層,在摻雜的過程中,光刻膠的外層吸附了一定濃度的金屬離子,這使得光刻膠外面形成一層堅硬的外殼。通過在較高溫度下進行烘培,可以使溶劑從光刻膠中揮發(fā)出來(前烘后溶劑含量降至5%左右),從而降低了灰塵的沾污。

              這層堅硬的外殼可以采取兩種現有方法去除:方法一,采用濕法刻蝕,但這種工藝容易產生光刻膠殘留;方法二,先通過干法刻蝕去除硬光刻膠外殼,再采用傳統的干法刻蝕去光刻膠的方法去除剩余的光刻膠的方法,但是這種方式增加了一步工藝流程,浪費能源,而且降低了生產效率;超過80%市場份額掌握在日本住友、TOK、美國陶氏、美國futurrex等公司手中,國內公司中,蘇州瑞紅與北京科華實現了部分品種的國產化,但是整體技術水平較低,僅能進入8英寸集成電路生產線與LED等產線。同時,傳統的光刻膠干法刻蝕去除光刻膠時,光刻膠外面的外殼阻擋了光刻膠內部的熱量的散發(fā),光刻膠內部膨脹應力增大,導致層多晶硅倒塌的現象。


              NR9-1000py

              問題回饋:

              1.我們是LED制造商,麻煩推薦幾款可以用于離子蝕刻和Lift-off工藝的光刻膠。

              A 據我所知,Futurrex

              有幾款膠很,NR7-1500P

              NR7-3000P是專門為離子蝕刻

              設計的,NR9-3000PY可以用于Lift-off上的應用。

              2.請問有沒有可以替代goodpr1518,Micropure去膠液和goodpr顯影液的產品?

              A 美國光刻膠,Futurrex

              正膠PR1-2000A

              , 去膠液RR4,和顯影液RD6可以解決以上問題。

              3.你們是否有可以替代Shipley

              S1805的用于DVD的應用產品?

              A 我們建議使用Futurrex

              PR1-500A , 它有幾個優(yōu)點:比較好的解析度,比較好的線寬控制,

              反射比較少,不需要HMDS,RIE后去除容易等~

              4. 求助,耐高溫的光阻是那一種?

              A Futurrex, NR7 serious(負光阻)Orpr1 serious(正光阻),再經過HMCTS

              silyiation process,可以達到耐高溫200度,PSPI透明polyimide,可耐高溫250度以上。

              5.厚膜光阻在鍍金應用上,用哪一種比較理想?

              A Futurrex , NR4-8000P比干膜,和其他市面上的濕膜更加適合,和理想。

              6.請教LIFT-OFF制程哪一種光阻適合?

              A 可以考慮使用Futurrex

              ,正型光阻PR1,負型光阻用NR1&NR7,它們都可以耐高溫180度,完全可以取代一般制作PATTERN的光阻。

              7.請問,那位專家知道,RIE

              Mask,用什么光阻比較好?

              A 正型光阻用PR1系列,負型光阻使用NR5,兩種都可以耐高溫180度。

              8.一般厚膜制程中,哪一種光阻適合?

              A NR9-8000P有很高的深寬比(超過4:1),一般厚膜以及,MEMS產品的高需求。

              9.在DEEP

              RIE和MASK 可以使用NRP9-8000P嗎?

              A 建議不使用,因為使用NR5-8000更加理想和適合。

              10.我們是OLED,我們有一種制程上需要一層SPACER,那種光阻適合?

              A 有一種膠很適合,美國Futurrex

              生產的NR1-3000PY

              and和

              NR1-6000PY,都適合在OLED制程中做spacers



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