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發布時間:2020-07-29 18:54  





IGBT的驅動電路特點(一)
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。目前主流恒流源驅動芯片移位時鐘頻率一般都在15-25MHz以上。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
輸出特性與轉移特性:
IGBT的伏安特性是指以柵極電壓VGE為參變量時,集電極電流IC與集電極電壓VCE之間的關系曲線。IGBT的伏安特性與BJT的輸出特性相似,也可分為飽和區I、放大區II和擊穿區III三部分。IGBT作為開關器件穩態時主要工作在飽和導通區。其功能與74HC595相似,只是TB62726是16位移位鎖存器,并帶輸出電流調整功能,但在并行輸出口上不會出現高電平,只有高阻狀態和低電平狀態。IGBT的轉移特性是指集電極輸出電流IC與柵極電壓之間的關系曲線。它與MOSFET的轉移特性相同,當柵極電壓VGE小于開啟電壓VGE(th)時,IGBT處于關斷狀態。在IGBT導通后的大部分集電極電流范圍內,IC與VGE呈線性關系。
IGBT與MOSFET的對比:
MOSFET全稱功率場效應晶體管。它的三個極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。
主要優點:熱穩定性好、安全工作區大。
缺點:擊穿電壓低,工作電流小。
?數碼管驅動電路中三極管
三極管是用來做驅動的作用,
因為在一般的控制器輸出驅動能力較弱,采用三極管進行放大電流,
使得能夠驅動能力提高。
當然如果在數碼管可接受的范圍內,電流越大,數碼管越亮。
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用什么直流電機驅動芯片(二)
2 ML4428原理圖及功能實現
ML4428電機控制器不用霍爾傳感器就可為Y形無刷直流電機(BLDC)提供起動和調速所需的各種功能。它采用28腳雙列表面SOIC封裝,它的內部框圖如圖1所示〔1〕,ML4428使用鎖相環技術,從電機線圈檢測反電勢,確定換向次序;采用專門的反電勢檢測技術,可實現三相無刷直流換向且不受PWM噪聲及電機緩沖電路的影響;采用了檢查轉子位置并準確對電機加速的起動技術,確保起動時電機不會反轉并可縮短起動時間。但是隨著MOSFET技術的不斷演進,今日的CMOS技術也已經可以符合很多模擬電路的規格需求。
2.1 反電勢檢測信號的獲得
無位置傳感器無刷直流電動機的控制與有位置傳感器無刷直流電機控制的根本區別就是利用反電勢的波形尋找換向點。當永磁無刷直流電動機運轉時,各相繞組的反電動勢(EMF)與轉子位置密切相關。MOSFET在數字電路上應用的另外一大優勢是對直流(DC)信號而言,MOSFET的柵極端阻抗為無限大(等效于開路),也就是理論上不會有電流從MOSFET的柵極端流向電路里的接地點,而是完全由電壓控制柵極的形式。由于各相繞組是交替導通工作的,在某相不導通的時刻,其反電動勢波形的某些特殊點,可代替轉子位置傳感器的功能,得到所需要的信息。
由于對于單相反電動勢波形圖,反電動勢過零點30°處對應繞組的換向信號,找出反電動勢過零點,即反電動勢檢測的任務〔2〕。基于這一原理,在該芯片內設計了一個獨特的反電勢檢測電路(見圖2),由于有了中點模擬電路,不需從電機三相繞組中引出中線
驅動IC廠聚積在MiniLED良率達到99%,明年首季產出放量,隨著顯示屏采用MiniLED,聚積已備妥方案準備大談商機,業內人士預期2019年業績將挑戰歷史高峰。因此,無位置傳感器無刷直流電機成為理想選擇,并具有廣闊的發展前景,但它的控制電路相當復雜。瑞泰威驅動IC廠家,是國內IC電子元器件的代理銷售企業,專業從事各類驅動IC、存儲IC、傳感器IC、觸摸IC銷售,品類齊全,具備上百個型號。
聚積目前除了與中國品牌手機客戶合作,在小間距LED顯示屏的畫面質量逐漸朝向高標準HDR,MiniLED HDR 10的se域范圍BT.2020,明年首季開始大量產出,對比度已達到25,000:1,由于HDR能表現出與人眼所能感知的動態范圍相近,提高畫面亮度,控制暗部畫面的亮度,強化明暗畫面之間的對比度,營造出更加接近現實的自然觀感,因此,聚積目前已與韓系客戶洽談合作,跨入大型屏幕劇院開發,可望在2019年傳來佳音。2ML4428原理圖及功能實現ML4428電機控制器不用霍爾傳感器就可為Y形無刷直流電機(BLDC)提供起動和調速所需的各種功能。