佛山Parylene鍍膜加工廠值得信賴 拉奇納米鍍膜

真空鍍膜技術一般分為兩大類，即物理氣相沉積技術和化學氣相沉積技術。

物理氣相沉積技術是指在真空條件下，利用各種物理方法，將鍍料氣化成原子、分子或使其離化為離子，直接沉積到基體表面上的方法。化學氣相沉積技術是把含有構成薄膜元素的單質氣體或化合物供給基體，借助氣相作用或基體表面上的化學反應，在基體上制出金屬或化合物薄膜的方法，主要包括常壓化學氣相沉積、低壓化學氣相沉積的等離子化學氣相沉積等。

真空鍍膜的均勻性已經相當好，可以輕松將粗糙度控制在可見光波長的1/10范圍內，也就是說對于薄膜的光學特性來說，真空鍍膜沒有障礙。

鍍的膜并非是想要的膜的化學成分，這也是真空鍍膜的技術含量所在。

真空鍍膜的物理過程

基本原理可分為三個工藝步驟：

鍍料的氣化：即鍍料的蒸發、升華或被濺射從而形成氣化源

鍍料粒子（（原子、分子或離子）的遷移：由氣化源供出原子、分子或離子經過碰撞，產生多種反應。

鍍料粒子在基片表面的沉積

真空鍍膜就是置待鍍材料和被鍍基板于真空室內，采用一定方法加熱待鍍材料，使之蒸發或升華，并飛行濺射到被鍍基板表面凝聚成膜的工藝。

對于大面積鍍膜，常采用旋轉基片或多蒸發源的方式以保證膜層厚度的均勻性。從蒸發源到基片的距離應小于蒸氣分子在殘余氣體中的平均自由程，以免蒸氣分子與殘氣分子碰撞引起化學作用。

在真空條件下成膜有很多優點：可減少蒸發材料的原子、分子在飛向基板過程中于分子的碰撞，減少氣體中的活性分子和蒸發源材料間的化學反應（如氧化等），以及減少成膜過程中氣體分子進入薄膜中成為雜質的量，從而提供膜層的致密度、純度、沉積速率和與基板的附著力。

蒸發鍍膜與其他真空鍍膜方法相比，具有較高的沉積速率，可鍍制單質和不易熱分解的化合物膜。

真空鍍膜就是于真空室內，采用一定方法使材料凝聚成膜的工藝。

在真空條件下成膜有很多優點：可減少蒸發材料的原子、分子在飛向基板過程中于分子的碰撞，減少成膜過程中氣體分子進入薄膜中成為雜質的量，從而提供膜層的致密度、純度、沉積速率和與基板的附著力。通常真空蒸鍍要求成膜室內壓力等于或低于10-2Pa，對于蒸發源與基板距離較遠和薄膜質量要求很高的場合，則要求壓力更低。

真空鍍膜設備普遍應用于工業生產，無論是小產品還是大產品、金屬制品還是塑膠制品、亦或者陶瓷、芯片、電路板、玻璃等產品，基本上所有需要進行表面處理鍍膜的都需要用到。