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氣相沉積主要分為兩大類：

化學氣相沉積(，簡稱CVD)；

物理氣相沉積(，簡稱PVD)。

，人們利用易揮發的液體TiCI稍加熱獲得TiCI氣體和NH氣體一起導入高溫反應室，讓這些反應氣體分解，再在高溫固體表面上進行遵循熱力學原理的化學反應，生成TiN和HCI，HCi被抽走，TiN沉積在固體表面上成硬質固相薄膜。人們把這種通過含有構成薄膜元素的揮發性化合物與氣態物質，在固體表面上進行化學反應，且生成非揮發性固態沉積物的過程，稱為化學氣相沉積(，CVD)。

磁控濺射：在真空環境下，通過電壓和磁場的共同作用，以被離化的惰性氣體離子對靶材進行轟擊，致使靶材以離子、原子或分子的形式被彈出并沉積在基件上形成薄膜。根據使用的電離電源的不同，導體和非導體材料均可作為靶材被濺射。

離子束DLC：碳氫氣體在離子源中被離化成等離子體，在電磁場的共同作用下，離子源釋放出碳離子。離子束能量通過調整加在等離子體上的電壓來控制。碳氫離子束被引到基片上，沉積速度與離子電流密度成正比。星弧涂層的離子束源采用高電壓，因而離子能量更大，使得薄膜與基片結合力很好；離子電流更大，使得DLC膜的沉積速度更快。離子束技術的主要優點在于可沉積超薄及多層結構，工藝控制精度可達幾個埃，并可將工藝過程中的顆料污染所帶來的缺陷降至。

由于粒子間的碰撞，產生劇烈的氣體電離，使反應氣體受到活化。同時發生陰極濺射效應，為沉積薄膜提供了清潔的活性高的表面。因而整個沉積過程與僅有熱的過程有明顯不同。這兩方面的作用，在進步涂層結協力，降低沉積溫度，加快反應速度諸方面都創造了有利條件。

等離子體化學氣相沉積技術按等離子體能量源方式劃分，有直流輝光放電、射頻放電和微波等離子體放電等。隨著頻率的增加，等離子體強化CVD過程的作用越明顯，形成化合物的溫度越低。

隨著市場和研究人員的要求，隨著基于傳統工藝的新系統的出現，新的涂料性能得到了發展。即使通過蒸發工藝獲得的沉積速率是理想的，但事實是，濺射沉積技術在質量和沉積速率方面取得了無疑的進步，響應了對此領域感興趣的行業和研究人員的需求，甚至用作中間層，用于通過化學氣相沉積（CVD）獲得的其他涂層。

CVD是另一種在真空下沉積的方法，并且是使待沉積材料中的揮發性化合物與其他氣體發生化學反應的過程，以產生沉積在基材上的非揮發性固體。