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光刻膠趨勢(shì)

半導(dǎo)體光刻膠領(lǐng)域全球市場(chǎng)規(guī)模趨于穩(wěn)定， 2017年全球市場(chǎng)約13.5億美元；國內(nèi)市場(chǎng)約20.2億元，近5年復(fù)合增速達(dá)12%。受全球半導(dǎo)體市場(chǎng)復(fù)蘇和國內(nèi)承接產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，預(yù)計(jì)全球光刻膠市場(chǎng)將保持穩(wěn)定增速，國內(nèi)市占率穩(wěn)步抬升。

光刻膠生產(chǎn)、檢測(cè)、評(píng)價(jià)的設(shè)備價(jià)格昂貴，需要一定前期資本投入；光刻工藝重要性二光刻膠的曝光波長由寬譜紫外向g線→i線→KrF→ArF→EUV(13。光刻膠企業(yè)通常運(yùn)營成本較高，下游廠商認(rèn)證采購時(shí)間較長，為在設(shè)備、研發(fā)和技術(shù)服務(wù)上取得競(jìng)爭優(yōu)勢(shì)，需要足夠的中后期資金支持。企業(yè)持續(xù)發(fā)展也需投入較大的資金，光刻膠行業(yè)在資金上存在較高的壁壘，國外光刻膠廠商相對(duì)于國內(nèi)廠商，其公司規(guī)模更大，具有資金和技術(shù)優(yōu)勢(shì)。

總體上，光刻膠行業(yè)得到國家層面上的政策支持。《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》，提出“研發(fā)光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、離子注入機(jī)等關(guān)鍵設(shè)備，開發(fā)光刻膠、大尺英寸硅片等關(guān)鍵材料”；國家重點(diǎn)支持的高新技術(shù)領(lǐng)域（2015）中提到“高分辨率光刻膠及配套化學(xué)品作為精細(xì)化學(xué)品重要組成部分，是重點(diǎn)發(fā)展的新材料技術(shù)”；光刻技術(shù)（包括光刻膠）是《中國制造 2025》重點(diǎn)領(lǐng)域。反之，對(duì)某些溶劑是不可溶的，經(jīng)光照后變成可溶物質(zhì)的即為正性膠。

光刻膠國內(nèi)的研發(fā)起步較晚

光刻膠的研發(fā)，關(guān)鍵在于其成分復(fù)雜、工藝技術(shù)難以掌握。光刻膠主要成分有高分子樹脂、色漿、單體、感光引發(fā)劑、溶劑以及添加劑，開發(fā)所涉及的技術(shù)難題眾多，需從低聚物結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和篩選、合成工藝的確定和優(yōu)化、活性單體的篩選和控制、色漿細(xì)度控制和穩(wěn)定、產(chǎn)品配方設(shè)計(jì)和優(yōu)化、產(chǎn)品生產(chǎn)工藝優(yōu)化和穩(wěn)定、終使用條件匹配和寬容度調(diào)整等方面進(jìn)行調(diào)整。A正型光阻用PR1系列，負(fù)型光阻使用NR5，兩種都可以耐高溫180度。因此，要自主研發(fā)生產(chǎn)，技術(shù)難度非常之高。

在光刻膠研發(fā)上，我國起步晚，2000年后才開始重視。近幾年，雖說有了快速發(fā)展，但整體還處于起步階段。事實(shí)上，工藝技術(shù)水平與國外企業(yè)有著很大的差距，尤其是材料及設(shè)備都仍依賴進(jìn)口。

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四、前烘（Soft Bake）

完成光刻膠的涂抹之后，需要進(jìn)行軟烘干操作，這一步驟也被稱為前烘。前烘能夠蒸發(fā)光刻膠中的溶劑溶劑、能使涂覆的光刻膠更薄。

在液態(tài)的光刻膠中，溶劑成分占65％－85％。雖然在甩膠之后，液態(tài)的光刻膠已經(jīng)成為固態(tài)的薄膜，但仍有10％－30％的溶劑，容易沾污灰塵。光刻膠和集成電路制造產(chǎn)業(yè)鏈的前端的即為光刻膠專用化學(xué)品，生產(chǎn)而得的不同類型的光刻膠被應(yīng)用于消費(fèi)電子、家用電器、信息通訊、汽車電子、航空航天等在內(nèi)的各個(gè)下游終端領(lǐng)域，需求較為分散。通過在較高溫度下進(jìn)行烘培，可以使溶劑從光刻膠中揮發(fā)出來（前烘后溶劑含量降至5％左右），從而降低了灰塵的沾污。同時(shí)，這一步驟還可以減輕因高速旋轉(zhuǎn)形成的薄膜應(yīng)力，從而提高光刻膠 襯底上的附著性。

在前烘過程中，由于溶劑揮發(fā)，光刻膠厚度也會(huì)減薄，一般減薄的幅度為10％－20％左右。

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6，堅(jiān)膜

堅(jiān)膜也叫后烘，是為了去除由于顯影液的浸泡引起膠膜軟化、溶脹現(xiàn)象，能使膠膜附著能力增強(qiáng)，康腐蝕能力提高。2μmResistThicknessNR71-1000PY0。堅(jiān)膜溫度通常情況高于前烘和曝光后烘烤的溫度 100-140度 10-30min,7，顯影檢驗(yàn),光刻膠鉆蝕、圖像尺寸變化、套刻對(duì)準(zhǔn)不良、光刻膠膜損傷、線條是否齊、陡，針KONG、小島。

8刻蝕

就是將涂膠前所墊基的薄膜中沒有被光刻膠覆蓋和保護(hù)的那部分進(jìn)行腐蝕掉，達(dá)到將光刻膠上的圖形轉(zhuǎn)移到下層材料的目的。濕法刻蝕，SIO2,AL, Poly-Si 等薄膜，干法腐蝕。