倫教塑料鍍膜反光杯定做在線咨詢,佛山錦城鍍膜

鍍膜工藝流程中工藝參數的控制和對膜層沉積的影響

靶基距：靶基距是影響成膜速率的重要因素之一，隨著靶基距增加，被濺射材料射向基片時與氣體分子碰撞的次數增多，同時等離子體密度也減弱，動能減少，沉積速率降低，但膜層外觀較好。靶基距太小，沉積太快，工件溫升大，膜層外觀差。

靶功率；磁控濺射本身粒子初始動能比較小，離化率低，電源功率越大，濺射出的粒子的初始能量越大，靶材濺射量也越大，沉積速率越快，膜層容易上厚度和硬度，同時工件溫升也大，過高的功率會使沉積速率太快，粒子來不及表面遷移和擴散，易形成陰影效應，膜層會比較疏松，應力較大。電子束蒸發源的優點為：①電子束轟擊熱源的束流密度高，能獲得遠比電阻加熱源更大的能量密度。

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電子束蒸發源蒸鍍法

將蒸發材料放入水冷銅坩鍋中，直接利用電子束加熱，使蒸發材料氣化蒸發后凝結在基板表面成膜，是真空蒸發鍍膜技術中的一種重要的加熱方法和發展方向。電子束蒸發克服了一般電阻加熱蒸發的許多缺點，特別適合制作熔點薄膜材料和高純薄膜材料。

光學薄膜應用反應磁控濺射技術已有多年，中頻閉合場非平衡磁控濺射技術也已在光學薄膜（如增透膜）、低輻射玻璃和透明導電玻璃等方面得到應用。特別是透明導電玻璃目前廣泛應用于平板顯示器件、太陽能電池、微波與射頻屏蔽裝置與器件、傳感器等。