海安多孔磁珠規(guī)格常用解決方案磁豐電子

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發(fā)布時間：2020-11-08 09:51

磁珠的選型

磁珠主要用于抑制電磁干擾差模噪聲。它們的DC阻抗很小，但在高頻時阻抗很高。一般來說，600R是指在100兆赫茲測試頻率下的阻抗值。選擇磁珠時應(yīng)考慮兩個方面:一是電路中的噪聲干擾，二是要通過的電流量。為了大致了解噪聲的頻率和強度，不同磁珠的頻率阻抗曲線是不同的，應(yīng)選擇在噪聲中心頻率處具有較高磁珠阻抗的磁珠。如果噪聲干擾大，阻抗應(yīng)該更高，但不是越高，越好，因為阻抗越高，DCR越高，有用信號的衰減越大。但是，一般沒有明確的計算和選擇標準，主要取決于實際使用效果，一般采用120R-600R。然后它取決于通過的電流。如果用于電力線部分，應(yīng)選擇額定電流較高的型號。如果用于信號線部分，額定電流要求一般不高。此外，磁珠的額定電流通常較小，阻抗較高。磁珠的選擇應(yīng)基于實際情況。例如，對于3.3V和300毫安的電源，要求3.3V不能低于3.0V。那么磁珠的DC電阻DCR應(yīng)該低于1R。在這種情況下，通常選擇0.5R來防止參數(shù)漂移。對于噪聲抑制能力，假設(shè)負載為45歐姆，如果要求100兆赫茲和300兆赫茲的噪聲通過磁珠后達到50兆赫茲，則應(yīng)選擇dcr1r和225R的磁珠。225 r是如何計算的？(45歐姆/50毫伏)* 250毫伏=225歐姆

磁珠的選用

承前：從去耦半徑出發(fā)，通過去耦半徑的計算，讓大家直觀的看到我們常見的電容的“有效范圍”問題。

本節(jié)：討論濾波電容的位置與PDN阻抗的關(guān)系，提出“全局電容”與“局部電容”的概念。能看到當電容呈現(xiàn)“全局特性”的時候，電容的位置其實沒有想象中那么重要。

啟后：多層板設(shè)計的時候，電容傾向于呈現(xiàn)“全局特性”，“電源加磁珠”的設(shè)計方法，會影響電容在全局范圍內(nèi)起作用。同時電源種類太多，還會帶來其他設(shè)計問題。

通過上一篇文章，我們知道平常“耳熟能詳”的電容去耦半徑理論，對PCB設(shè)計其實沒有什么指導(dǎo)意義。0.1uf的電容去耦半徑足夠大，設(shè)計中參考這個值沒有用處，工程師還是會“盡量”把0.1uf電容靠近芯片的電源管教放置。PCB設(shè)計師需要更有效的理論來指導(dǎo)電容的布局設(shè)計。

既然簡單的用四分之一波長理論推算的電容去耦半徑不起作用，那么電容放置得離芯片電源管腳比較遠，還會有哪些影響呢？很多人都答對了，影響安裝電感。

EMC磁珠到底是什么特性？

電磁兼容磁珠用于抑制電子電路中的電磁干擾。主要有兩種應(yīng)用:1 .常用于電力線。2.用于信號線，如音頻和視頻線。根據(jù)實際應(yīng)用，我們應(yīng)該如何從數(shù)千萬個具有不同特性的電磁兼容磁珠中選擇合適的磁珠用于我們自己的系統(tǒng)設(shè)計？如前所述，如果磁珠用于電源線，應(yīng)該如何選擇？首先，我們應(yīng)該知道開關(guān)電源的工作頻率。通常大多數(shù)開關(guān)電源工作在幾百千赫，少數(shù)可以工作在幾兆赫。這個頻率基本上在傳導(dǎo)輻射的頻率范圍內(nèi)。對于從30MHz開始輻射頻率，它屬于低頻范圍。一般來說，電源產(chǎn)生的輻射電磁干擾噪聲通常在100兆赫茲到300兆赫茲之間。因此，選擇峰值頻率小于300兆赫的磁珠進行磁珠選擇。其次，需要知道電源的工作電流。對于放置在開關(guān)或非DC信號中的磁珠，通常有必要談?wù)劷涣餍盘栟D(zhuǎn)換的有效值，以便選擇磁珠的額定電流。至于電源線用磁珠的尺寸，如前所述，在滿足排版空間設(shè)計要求的情況下，應(yīng)盡可能選擇大尺寸的磁珠。DCR是電源線中使用的磁珠的一個關(guān)鍵參數(shù)，特別是對于電池供電的便攜式設(shè)備，如手機和平板電腦。電力線應(yīng)盡可能選用小DCR磁珠，以提高供電效率。當然，從抑制電磁干擾的角度來看，磁珠的峰值阻抗越高越好。但是通常，磁珠的阻抗與DCR成反比。有必要根據(jù)實際應(yīng)用在DCR和阻抗之間進行折衷。zui后，如前所述，磁珠的阻抗曲線應(yīng)盡可能平坦，以便通過zui在很大程度上濾除電源的高諧波噪聲。

如何區(qū)分電感與磁珠？