江西氮化硅常年回收詢問報價

性能氮化硅磚是以Si3N4為主要成分的特殊耐火材料制品

性能氮化硅磚是以Si3N4為主要成分的獨特耐火保溫材料產(chǎn)品。相對密度3.19g/cm3。熱膨脹系數(shù)小，為2.53×10-6/℃。1200℃下導(dǎo)熱率18.4W/(m·K)。耐熱性好，1200～2000℃熱交換器上一千次不毀壞。而且它還能抵抗冷熱沖擊，在空氣中加熱到1000℃以上，急劇冷卻再急劇加熱，也不會碎裂。抗折強度可達(dá)200~700MPa，耐空氣氧化溫度1400℃，在復(fù)原氛圍中可達(dá)1870℃。室內(nèi)溫度電阻1.1×1014Ω·m。選用硅粉滲氮后煅燒或壓合方式制得。

Si3N4的使用溫度一般不超過1300°C

氮化硅的很多性能都?xì)w結(jié)于此結(jié)構(gòu)。純Si3N4為3119，有α和β兩種晶體結(jié)構(gòu)，均為六角晶形，其分解溫度在空氣中為1800℃，在110MPa氮中為1850℃。Si3N4 熱膨脹系數(shù)低、導(dǎo)熱率高。可用作建筑窯爐和各種熱工設(shè)備的高溫建筑材料和結(jié)構(gòu)材料，并在高溫下能經(jīng)受各種物理化學(xué)變化和機械作用。熱壓燒結(jié)的氮化硅加熱到l000℃后投入冷水中也不會。在不太高的溫度下，Si3N4 具有較高的強度和抗沖擊性，但在1200℃以上會隨使用時間的增長而出現(xiàn)破損，使其強度降低，在1450℃以上更易出現(xiàn)疲勞損壞，所以Si3N4 的使用溫度一般不超過1300℃。

氮化硅磚是指以氧化鎂(MgO)和三氧化二鉻(Cr2O3)為主

氮化硅磚就是指以氧化鎂(MgO)和三氧化二鉻(Cr2O3)為主要成分，方鎂石和尖晶石為關(guān)鍵礦物質(zhì)成分的耐火保溫材料產(chǎn)品。這種磚耐火性高，高溫抗壓強度大，抗偏堿渣腐蝕性強，熱穩(wěn)定性，對酸堿性渣也是有一定的適應(yīng)能力。氮化硅（Si3N4）存有有3種結(jié)晶體構(gòu)造，分別是α、β和γ三相。α和β兩相是Si3N4常出現(xiàn)的形式，且能夠 在過熱蒸汽下制取。γ相僅有在髙壓及高溫下，才可以生成獲得，它的強度可做到35GPa。氮化硅磚是以Si3N4為主要成分的獨特耐火保溫材料產(chǎn)品。相對密度3.19g/cm3。熱膨脹系數(shù)小，為2.53×10-6/℃。1200℃下導(dǎo)熱率18.4W/(m·K)。熱穩(wěn)定性好，1200～2000℃熱交換器上一千次不毀壞。它耐高溫，強度一直可以維持到1200℃的高溫而不下降，受熱后不會熔成融體，一直到1900℃才會分解，并有驚人的耐化學(xué)腐蝕性能，能耐幾乎所有的無機酸和30%以下的溶液，也能耐很多有機酸的腐蝕。抗折強度達(dá)到200~700MPa，耐空氣氧化溫度1400℃，在復(fù)原氛圍中達(dá)到1870℃。室內(nèi)溫度電阻1.1×1014Ω·m。選用硅粉滲氮后煅燒或壓合方式制得。生產(chǎn)制造氮化硅磚的關(guān)鍵原料是煅燒鎂砂和鉻鐵礦。鎂砂原料的純凈度要盡量高，鉻鐵礦成分的規(guī)定為：Cr2O330～45%，CaO不超1.0～1.5%。燒造氮化硅磚的生產(chǎn)工藝流程與鎂質(zhì)磚大致差不多。以便清除磚在燒制全過程中因為MgO和Cr2O3、Al2O3或立即融合氮化硅磚。

熱壓燒結(jié)的氮化硅加熱到l000°C后投入冷水中也不會

氮化硅的許多 特性都?xì)w結(jié)為在此構(gòu)造。純Si3N4為3119，有α和β二種分子結(jié)構(gòu)，均為六角晶型，其溶解溫度在空氣中為1800℃，在110MPa氮中為1850℃。Si3N4線膨脹系數(shù)低、導(dǎo)熱率高，困窮耐高溫破壞性不錯。壓合煅燒的氮化硅加溫到l000℃后資金投入涼水中也不容易。不在太高的溫度下，Si3N4具備較高的強度和耐沖擊性，但在1200℃之上會隨使用時間的提高而出現(xiàn)損壞，使其強度減少，在1450℃之上更易出現(xiàn)疲憊毀壞，因此Si3N4的應(yīng)用溫度一般不超過1300℃。因為Si3N4的基礎(chǔ)理論相對密度低，比鋼和工程項目超耐高溫碳素鋼輕得多，因此，在這些規(guī)定原材料具備高強度、耐熱等特性的地區(qū)用Si3N4瓷器去替代碳素鋼是再適合但是了。⑵在Si3N4粉末燒結(jié)時，開發(fā)一些新的助熔劑，研究和控制現(xiàn)有助熔劑的成分。它是用硅粉作原材料，先用一般成形的方式制成需要的樣子，在N2以及1200℃的高溫下開展基本氮化，使在其中一部分硅粉與氮反映轉(zhuǎn)化成氮化硅，這時候全部坯體早已具備一定的強度。隨后在1350℃～1450℃的箱式電爐中開展二次氮化，反映成氮化硅。用壓合煅燒法能制得做到基礎(chǔ)理論相對密度99%的氮化硅。