NR73G 6000P光刻膠公司值得信賴【賽米萊德】

芯片光刻的流程詳解（一）

在集成電路的制造過程中，有一個重要的環節——光刻，正因為有了它，我們才能在微小的芯片上實現功能。現代刻劃技術可以追溯到190年以前，1822年法國人Nicephore niepce在各種材料光照實驗以后，開始試圖復一種刻蝕在油紙上的印痕（圖案)，他將油紙放在一塊玻璃片上，玻片上涂有溶解在植物油中的瀝青。經過2、3小時的日曬，透光部分的瀝青明顯變硬，而不透光部分瀝青依然軟并可被松香和植物油的混合液洗掉。光刻膠基于應用領域不同一般可以分為半導體集成電路（IC）光刻膠、PCB光刻膠以及LCD光刻膠三個大類。通過用強酸刻蝕玻璃板，Niepce在1827年制作了一個d’Amboise主教的雕板相的產品。

Niepce的發明100多年后，即第二次大戰期間才應用于制作印刷電路板，即在塑料板上制作銅線路。到1961年光刻法被用于在Si上制作大量的微小晶體管，當時分辨率5um，如今除可見光光刻之外，更出現了X-ray和荷電粒子刻劃等更高分辨率方法。隨著12寸先進技術節點生產線的興建和多次曝光工藝的大量應用，193nm及其它先進光刻膠的需求量將快速增加。

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光刻膠底膜處理：清洗：清潔干燥，使硅片與光刻膠良好的接觸。烘干：去除襯底表面的水汽，使其徹底干燥，增粘處理(涂底)： 涂上增加光刻膠與硅片表面附著能力的化合物，HMDS，光刻膠疏水，Sio2 空氣中，Si-OH, 表面有，親水性，使用HMDS （H2C）6Si2NH 涂覆，熏蒸  與 SI –OH結合形成Si-O-Si(CH2)2，與光刻膠相親。光刻工藝主要性一光刻膠不僅具有純度要求高、工藝復雜等特征，還需要相應光刻機與之配對調試。

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(3)其他特性。這些化學成分發生變化的區域，在下一步的能夠溶解于特定的顯影液中。光刻膠的其他特性包括膠的純度、膠內的金屬含量、膠的可應用范圍、膠的儲存有效期和膠的燃點。

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正性光刻膠的金屬剝離技術

正性膠的金屬剝離工藝對于獲得難腐蝕金屬的細微光刻圖形比常規的光刻膠掩蔽腐蝕法顯示了優越性。本文首先對金屬剝離工藝中的正、負光刻膠的性能作了對比分析。認為正性光刻膠除圖形分辨率高而適應于微細圖形的掩膜外，它還具有圖形邊緣陡直， 去膠容易等獨特性能，比負性光刻膠更有利于金屬剝離工藝。然后給出了具體的工藝條件，并根據正性光刻膠的使用特點指出了工藝中的關鍵點及容易出現的問題。如正性光刻膠同GaAs表面的粘附性較差，這就要求對片子表面的清潔處理更為嚴格。為了高止光刻圖形的漂移控制光刻圖形的尺寸，對曝光時同特別是顯影液溫度提出了嚴格的要求。北京賽米萊德貿易有限公司供應美國Futurrex新型lift-off光刻膠NR9-3000PY，此款負膠的設計適用于比較寬的波長范圍和i線（366納米）曝光工具。由于工藝中基本上不經過腐蝕過程，膠膜的耐腐蝕性降到了次要地位。