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在真空條件下成膜有很多優點：可減少蒸發材料的原子、分子在飛向基板過程中于分子的碰撞，減少氣體中的活性分子和蒸發源材料間的化學反應（如氧化等），以及減少成膜過程中氣體分子進入薄膜中成為雜質的量，從而提供膜層的致密度、純度、沉積速率和與基板的附著力。沖壓、鑄造都是工件加工的重要手段，這兩項工藝都能在汽車制造領域中發揮重要作用，不管是沖壓件加工還是鑄造件，對于汽車車身質量來說，都是保證的基礎。通常真空蒸鍍要求成膜室內壓力等于或低于10-2Pa，對于蒸發源與基板距離較遠和薄膜質量要求很高的場合，則要求壓力更低。

蒸發鍍膜與其他真空鍍膜方法相比，具有較高的沉積速率，可鍍制單質和不易熱分解的化合物膜。

為沉積高純單晶膜層，可采用分子束外延方法。生長摻雜的GaAlAs單晶層的分子束外延裝置如圖2[ 分子束外延裝置示意圖]。等離子體中的電子和正離子在電壓的正半周和負半周分別打到絕緣靶上。噴射爐中裝有分子束源，在超高真空下當它被加熱到一定溫度時，爐中元素以束狀分子流射向基片。基片被加熱到一定溫度，沉積在基片上的分子可以徙動，按基片晶格次序生長結晶用分子束外延法可獲得所需化學計量比的高純化合物單晶膜，薄膜較慢生長速度可控制在1單層／秒。通過控制擋板,可精準地做出所需成分和結構的單晶薄膜。

基片裝在接地的電極上，絕緣靶裝在對面的電極上。高頻電源一端接地，一端通過匹配網絡和隔直流電容接到裝有絕緣靶的電極上。沖壓件加工生產中的在線分區檢查和抽取檢查為了提高工件的合格率，需要通過目視、工具等來進行分區檢查，同時還要對各個生產階段的沖壓件進行抽查，以便于更好的控制整體質量。接通高頻電源后，高頻電壓不斷改變極性。等離子體中的電子和正離子在電壓的正半周和負半周分別打到絕緣靶上。由于電子遷移率高于正離子，絕緣靶表面帶負電，在達到動態平衡時，靶處于負的偏置電位，從而使正離子對靶的濺射持續進行。采用磁控濺射可使沉積速率比非磁控濺射提高近一個數量級。

銑削時，嘗試使用外圓角或球形立銑刀代替平面立銑刀。具有圓角半徑的東西將使您在尖角處獲得更高的光潔度，并且肯定有助于延長我們刀具壽命。

嘗試刮水器插入：盡可能。刮水器插入件具有與刀尖半徑相鄰的平坦區域。當工具沿著工件進給時，這個平面實際上“擦拭”了光潔度，并且有助于消除更快進給率可能遇到的線狀光潔度- 這允許使用更小的TNR來幫助控制顫振。