大樣片磁控濺射鍍膜機工作原理值得信賴北京創(chuàng)世威納

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發(fā)布時間：2020-07-27 19:59

真空磁控濺射鍍膜

所謂濺射就是用荷能粒子（通常用惰性氣體的正離子）去轟擊固體（以下稱靶材）表面，從而引起靶材表面上的原子（或分子）從其中逸出的一種現(xiàn)象。這一現(xiàn)象是格洛夫（Grove）于1842年在實驗研究陰極腐蝕問題時，陰極材料被遷移到真空管壁上而發(fā)現(xiàn)的。光學(xué)鍍膜設(shè)計（1）減反射膜減反射也稱增透膜，這種膜主要鍍在透明低折射率基底上，如玻璃上鍍減反射膜，常見的膜層結(jié)構(gòu)采用高、低折射率膜層疊加而成（2）彩色鍍膜彩色鍍膜主要也是在玻璃等透明基底上鍍膜，其膜層材料和結(jié)構(gòu)類似減反射鍍膜。

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磁控濺射鍍膜機技術(shù)原理

真空磁控濺射鍍膜技術(shù)是通過真空磁控濺射鍍膜機實現(xiàn)的，鍍膜機內(nèi)由不同級別的真空泵抽氣，在系統(tǒng)內(nèi)營造出一個鍍膜所需的真空環(huán)境，真空度要達到鍍膜所需的本底真空，一般在（1~5）×10-8 Pa。在真空環(huán)境中向靶材（陰極）下充入工藝氣體氣（Ar），氣在外加電場（由直流或交流電源產(chǎn)生）作用下發(fā)生電離生成離子（Ar ），同時在電場E的作用下，離子加速飛向陰極靶并以高能量轟擊靶表面，使靶材產(chǎn)生濺射。在濺射粒子中，中性的靶原子（或分子）沉積在PET基片上形成薄膜。同時被濺射出的二次電子在陰極暗區(qū)被加速，在飛向基片的過程中，落入設(shè)定的正交電磁場的電子阱中，直接被磁場的洛倫茲力束縛，使其在磁場B的洛倫茲力作用下，以旋輪線和螺旋線的復(fù)合形式在靶表面附近作回旋運動。電子e的運動被電磁場束縛在靠近靶表面的等離子區(qū)域內(nèi)，使其到達陽極前的行程大大增長，大大增加碰撞電離幾率，使得該區(qū)域內(nèi)氣體原子的離化率增加，轟擊靶材的高能Ar 離子增多，從而實現(xiàn)了磁控濺射高速沉積的特點。在運用該機理開發(fā)磁控膜的過程中，要注意以下幾個問題：①保證整體工藝中各個環(huán)節(jié)的可靠性。具體包括靶材質(zhì)量、工藝氣體純度、原膜潔凈程度、原膜質(zhì)量等基礎(chǔ)因素，這一系列因素會對鍍膜產(chǎn)品的終質(zhì)量產(chǎn)生影響。②選擇合適的靶材。要建立的膜系是通過對陰極的前后順序布置實現(xiàn)的。③控制好各環(huán)節(jié)的工藝性能及參數(shù)。在運用該機理開發(fā)磁控膜的過程中，要注意以下幾個問題：①保證整體工藝中各個環(huán)節(jié)的可靠性。如適合的本底真空度、靶材適用的濺射功率、工藝氣體和反應(yīng)氣體用量與輸入均勻性、膜層厚度等。總之，只有控制好以上各因素，才能夠保證所開發(fā)的鍍膜PET具有穩(wěn)定的顏色、優(yōu)異的性能和耐久性。

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