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金屬蝕刻標牌

通常所指蝕刻也稱光化學蝕刻（photochemical etching），指通過曝光制版、顯影后，將要蝕刻區域的保護膜去除，在蝕刻時接觸化學溶液，達到溶解腐蝕的作用，形成凹凸或者鏤空成型的效果。

最早可用來制造銅版、鋅版等印刷凹凸版，也廣泛地被使用于減輕重量(Weight Reduction)儀器鑲板，銘牌及傳統加工法難以加工之薄形工件等的加工；經過不斷改良和工藝設備發展，亦可以用于航空、機械、化學工業中電子薄片零件精密蝕刻產品的加工，特別在半導體制程上，蝕刻更是不可或缺的技術。5%)60～100ml/l，磷酸(85%)20～45ml/l，復合光亮劑1～5g/l，緩蝕劑0。

1.6 蝕刻

可用兩種方法進行蝕刻： A、電解法：電流 15－50A，電壓 3－5V，電解液：20%氯化銨、20%硫酸，陽極用鈦板。電解過程中及時去掉陽極上浮 留電解銅，以保證電流正常通過。 B、三氯化鐵法：選用較純的三氯化鐵泡成 30 波氏度溶液，流 動腐蝕。同一個版面要達到深淺不同效果，要在頭次達到淺度要求 后，清洗表面，烘干。利用蝕刻方法能夠在不銹鋼模具上雕刻出各種花紋圖案，提高所加工制件的裝飾和美觀性能。在已達到淺度蝕刻處涂上（印上）普通耐蝕刻 油墨，再行二次蝕刻。 1.7 除膜 將已蝕刻完畢的銅板放在水、 30∶1∶0.1 溶液 中加溫至 70℃除膜、清洗出光。 1.8 電鍍 除膜后的銅板圖案已經很亮，很細，無須再行鍍亮銅，可直接 進行鍍鎳 40－90 秒，再行鍍金、鍍銀。

在印制電路工業的傳統知識里﹐特別是印制電路原料的供貨商們皆認同﹐并得經驗證 實﹐氨性蝕刻液中的一價銅離子含量越低﹐反應速度就越快。 事實上﹐許多的氨性蝕刻液 產品都含有價銅離子的特殊配位基（一些復雜的溶劑）﹐其作用是降低一價銅離子（產品具 有高反應能力的技術秘訣）﹐可見一價銅離子的影響是不小的。提示：如果蝕刻太深，要提高傳送帶前進速度：如果蝕刻太淺，要降低傳送帶前進速。 將一價銅由 5000ppm 降至 50ppm, 蝕刻速率即提高一倍以上。 由于在蝕刻反應的過程中會生成大量的一價銅離子, 而一價銅離子又總是與氨的絡合 基緊緊的結合在一起﹐所以要保持其含量近于零是十分困難的。

有時 較劇烈的振顫都有可能損傷銅箔。 5. 減少污染的問題 銅對水的污染是印制電路生產中普遍存在的問題﹐而氨堿蝕刻液的使用更加重了這 個問題。 因為銅與氨絡合﹐不容易用離子交換法或堿沈淀法除去。 所以﹐采用無銅的添加 液來漂洗板子(第二次噴淋操作的方法)﹐可大大地減少銅的排出量。目前﹐無論使用何種蝕刻液﹐都必須使用高壓噴淋﹐而為了獲得較整齊的側邊線條和高質量的蝕刻效果﹐對噴嘴的結構和噴淋方式的選擇都必須更為嚴格。 然后﹐再用空氣刀在 水漂洗之前將板面上多余的溶液去除﹐從而減輕了水對銅的蝕刻的鹽類的漂洗負擔。 在自動蝕刻系統中, 銅濃度是以比重來控制的。 在印制板的蝕刻過程中﹐隨著銅不 斷地被溶解﹐當溶解的比重不斷升高至超過一定的數值時﹐系統便會自動補加氯化銨和氨 的水溶液﹐使比重調整回合適的范圍。