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發布時間:2020-07-21 14:17  





TMR/超導復合式磁傳感器
1995 年,由美國麻省理工學院和日本東北大學的兩個研究小組獨立發現,將兩個磁性電極層之間用極薄的絕緣層分開會產生很大的磁電阻效應(室溫下達到11%)。這種由磁性層/絕緣層/磁性層構成的結構,稱為磁性隧道結(MTJ)。在MTJ 中,中間的絕緣層很薄(幾個納米),使得可以有大量電子隧穿通過。通過隧道結的電流依賴于兩個磁性層的磁化強度矢量的相對取向。這種隧穿電流隨外磁場變化的效應被稱為隧道磁電阻(TMR)效應。隧道磁電阻效應可以由Julliere 雙電流模型解釋。假定電子在隧穿過程中自旋不發生翻轉,并且隧穿電流正比于費米面附近電子的態密度。當MTJ兩側鐵磁層處于平行排列時,左側的少子電子向右側的少子空態隧穿,左側的多子電子向右側的多子空態隧穿,MTJ 處于低阻態;當MTJ兩側鐵磁層處于反平行排列時,左側的少子電子向右側的多子空態隧穿,而左側的多子電子向右側的少子空態隧穿,MTJ 呈現高阻態。當一邊測量RTD的電阻一邊改變它的溫度時,響應幾乎是線性的,表現得像一個電阻器。
由于貼合TMR器件與超導磁放大器的低溫膠過厚導致TMR—超導磁放大器間距過大(50 μm),使得TMR/超導復合式磁傳感器的靈敏度、探測精度較GMR/超導復合式磁傳感器、SQUID 等器件仍有明顯差距。理論計算表明,減小TMR—超導磁放大器間距將使得磁場放大倍數呈指數形式上升;如何將多個傳感器的量測數據進行有機融合,得到比單個傳感器更優越的跟蹤性能,是多傳感器多目標跟蹤領域的難點和熱點。若能將TMR—超導磁放大器間距降低至0.5 μm以內,磁場放大倍數可接近1000 倍。今后可通過熱壓印等技術減小TMR—超導磁放大器間距,從而提高器件的靈敏度。
陶瓷壓力傳感器
抗腐蝕的陶瓷壓力傳感器沒有液體的傳遞,壓力直接作用在陶瓷膜片的前表面,使膜片產生微小的形變,厚膜電阻印刷在陶瓷膜片的背面,連接成一個惠斯通電橋(閉橋),由于壓敏電阻的壓阻效應,使電橋產生一個與壓力成正比的高度線性、與激勵電壓也成正比的電壓信號,標準的信號根據壓力量程的不同標定為2.0 / 3.0 / 3.3 mV/V等,可以和應變式傳感器相兼容。通過激光標定,傳感器具有很高的溫度穩定性和時間穩定性,傳感器自帶溫度補償0 ~70℃,并可以和絕大多數介質直接接觸。假定電子在隧穿過程中自旋不發生翻轉,并且隧穿電流正比于費米面附近電子的態密度。
陶瓷是一種公認的高彈性、抗腐蝕、抗磨損、抗沖擊和振動的材料。陶瓷的熱穩定特性及它的厚膜電阻可以使它的工作溫度范圍高達-40 ~135 ℃,而且具有測量的、高穩定性。電氣絕緣程度2kV,輸出信號強,長期穩定性好。
角度傳感器Ic應用優勢
有許多應用,特別是在汽車系統中,需要以好精度和高可靠性測量物體的水平運動。一些常見的解決方案基于電位計,LVDT(線性電壓差動變壓器)和帶磁場傳感器的磁鐵。基于電位計的解決方案易于機械磨損,LVDT大而且昂貴,并且磁鐵加傳感器解決方案通常精度較低。壓電效應是某些電介質在沿一定方向上受到外力的作用而變形時,其內部會產生極化現象,同時在它的兩個相對表面上出現正負相反的電荷。
瑞泰威驅動IC廠家,是國內IC電子元器件的代理銷售企業,專業從事各類驅動IC、存儲IC、傳感器IC、觸摸IC銷售,品類齊全,具備上百個型號產品原裝zheng品。
然而,通過使用磁場角度傳感器IC代替傳統的單軸傳感器,幾乎消除了與磁鐵和傳感器解決方案相關的主要誤差源,從而實現了低成本,高可靠性和好精度的線性方法滑動位置感應。