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MOSFET為什么要驅動電路

現在市面上實際應用的多是平面工藝的MOSFET，在開關電源等領域應用非常普遍，一般作為百開關管使用。實際的MOSFET有別于理想的MOSFET，柵極和源度極，源極和漏極都是存在電容的，要用合適的驅動電路才能使MOS管工作在低導通損耗的開關狀態。比如600V的MOS管多用8-12V的柵極電壓驅動，并且要求一定的驅動能力。不過如果壓降不大或者電流小，線性驅動的電流穩定，道并且用的原件要遠遠少于開關的。

也可以內用示波器看MOS管的波形，看是否工作在完全導通狀態，上升和下降時間在輻射容滿足要求的情況下，盡量的陡峭。

為什么在led驅動電源中要盡量使用mosfet器件

LED驅動電源是否一定要用(mosfet器件)MOS管應從產品性價比、系統來散熱（包括電源本身和燈具）幾方面考慮，并不一定要求LED電源要用MOS管：

1、從散源熱角度考慮：LED驅動電源和LED燈珠既是熱源體又是受熱體，根據多年設計經驗，我們賽明源電源在設計30W以上電源時全部使用MOS管與控制IC分離方案。因為百，就現有技術（截止2015年）內置MOS管方案超過30W以上電源散熱就是問題，系統很難保證其穩定性；2、基色主波長誤差將基色主波長誤差指標，從“基色波長誤差”改到“基色主波長誤差”，更能說明這個指標反映的是LED顯示屏的一個什么特性。

2、從度性價比上考慮：在設計30W以下LED電源時，賽明知源電源有些采用內置MOS管方案道，因為這種方案已經成熟，散熱不是問題，系統穩定性較高。小功率LED電源可以不用考慮使用MOS，再說內置MOS方案EMC指標很容易通過。

IGBT的驅動電路特點（一）

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。自公司成立以來，飛速發展，產品已涵蓋了工控類IC、光通信類IC、無線通信IC、消費類IC等行業。

輸出特性與轉移特性：

IGBT的伏安特性是指以柵極電壓VGE為參變量時，集電極電流IC與集電極電壓VCE之間的關系曲線。IGBT的伏安特性與BJT的輸出特性相似，也可分為飽和區I、放大區II和擊穿區III三部分。IGBT作為開關器件穩態時主要工作在飽和導通區。IGBT的轉移特性是指集電極輸出電流IC與柵極電壓之間的關系曲線。它與MOSFET的轉移特性相同，當柵極電壓VGE小于開啟電壓VGE(th)時，IGBT處于關斷狀態。相較之下，BJT的邏輯電路（例如常見的TTL）就沒有這些優勢。在IGBT導通后的大部分集電極電流范圍內，IC與VGE呈線性關系。

IGBT與MOSFET的對比：

MOSFET全稱功率場效應晶體管。它的三個極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。

主要優點：熱穩定性好、安全工作區大。

缺點：擊穿電壓低，工作電流小。