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              發(fā)布時間:2020-07-18 18:39  



















              光電效應(yīng)當(dāng)電子從外界獲得能量時將會跳到較高的能階,獲得的能量越多跳的能階也越高,電子處在較高的能階時并不穩(wěn)定,很快就會把獲得的能量釋放回到原來的能階。如果電子獲得的能量夠高就擺脫原子核的束縛成為自由電子,電子空出來的位置則稱為空穴。自由電子可能會因?yàn)槟Σ粱蚺鲎驳纫蛩負(fù)p失能量,后受到空穴的吸引而復(fù)合。染料分子吸收光子能量后將使半導(dǎo)體中的帶負(fù)電的電子和帶正電的空穴分離。例如,硅的外層電子要成為自由電子需要吸收1.1ev的能量,當(dāng)硅外層電子吸收到的光能量超過1.1ev時將會產(chǎn)生自由電子及空穴





















              為更有效的利用由電子與空穴來產(chǎn)生電流,因此必須加入電場使自由電子與空穴分離進(jìn)而產(chǎn)生電流。1產(chǎn)生電場的方式很多如PN接面、金屬半導(dǎo)體接面等,其中1常用的方式為PN接面。提高自由電子濃度常用的方法是在硅中加入少量的五價原子,五價原子的四個價電子與硅鍵結(jié)后剩下一個價電子,使剩下的價電子游離只需要0.05ev,比原來的1.1ev小很多,在室溫超過200度k時即可使所有雜質(zhì)產(chǎn)生自由電子,同樣在硅中加入少量的三價原子可以提高空穴濃度。電子空穴對的數(shù)目越多導(dǎo)電的效果也越好,因?yàn)楣馐沟脤?dǎo)電效果變好的現(xiàn)象稱之為光導(dǎo)效應(yīng)(photoconductiveeffect)。










              擴(kuò)散的結(jié)果使得接面附近的N型半導(dǎo)體失去電子得到空穴而帶正電,P型半導(dǎo)體失去空穴得到電子而帶負(fù)電。因?yàn)殡姾擅芏炔痪虼嗽诮用娓浇a(chǎn)生電場,如果有自由電子或空穴在電場內(nèi)產(chǎn)生,則會因?yàn)槭艿诫妶龅淖饔枚苿樱杂呻娮酉騈型半導(dǎo)體移動,而電洞向P型半導(dǎo)體移動,因此這個區(qū)域缺乏自由電子或空穴而稱之為空乏區(qū)。然而如果只是單純的產(chǎn)生自由電子與空穴,將會因?yàn)槟Σ良芭鲎驳纫蛩厥ツ芰浚詈笞杂呻娮訒c空穴復(fù)合而無法利用。當(dāng)光照射在空乏區(qū)內(nèi)將硅原子的電子激發(fā)產(chǎn)生光生電子與空穴對,電子與空穴對會因?yàn)殡妶鲎饔枚闺姵貎?nèi)的電荷往兩端集中,此時只要外加電路將兩端連接即可利用電池內(nèi)的電力


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