寧夏回收海關(guān)罰沒太陽(yáng)能電池板詢問報(bào)價(jià),振鑫焱太陽(yáng)能板回收

電池片的檢驗(yàn)

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背電場(chǎng)：

A 級(jí)：

背電場(chǎng)完整，厚薄均勻，允許有缺失，缺失面積不超過背電場(chǎng)總面積的 5% ，變色面積不超過背電場(chǎng)面積的 15% 。

新的標(biāo)準(zhǔn)：背電場(chǎng)完整，厚薄均勻，不允許有缺失

B 級(jí)：

允許有缺失，缺失面積不超過背電場(chǎng)總面積的 10% ，變色面積不超過背電場(chǎng)面積的 30% 。

新的標(biāo)準(zhǔn)：允許有缺失，缺失面積不超過背電場(chǎng)總面積的 5% ，變色面積不超過背電場(chǎng)面積的 15% 。

C 級(jí)：

允許有缺失，缺失面積不超過背電場(chǎng)總面積的 10% ，變色面積不超過背電場(chǎng)面積的 50% 。

新的標(biāo)準(zhǔn)：缺失面積不超過背電場(chǎng)總面積的 5% ，變色面積不超過背電場(chǎng)面積的 50% 。

粗點(diǎn)：

粗點(diǎn)寬度≤ 0.18mm ，個(gè)數(shù)小于 2 個(gè)

新的標(biāo)準(zhǔn)：不允許有粗點(diǎn)

粗點(diǎn)寬度≤ 0.25mm ，個(gè)數(shù)小于 5 個(gè)

新的標(biāo)準(zhǔn)：允許有粗點(diǎn)，粗點(diǎn)寬度≤ 0.18mm ，個(gè)數(shù)小于 2 個(gè)

粗點(diǎn)寬度≤ 0.3mm ，個(gè)數(shù)小于 8 個(gè)

新的標(biāo)準(zhǔn)：當(dāng)主柵線或副柵線有明顯粗細(xì)不均時(shí)，應(yīng)用刻度顯微鏡進(jìn)行查檢。

電池片的制作工藝

燒結(jié)

燒結(jié)目的

干燥硅片上的漿料，燃盡漿料的有機(jī)組分，使?jié){料和硅片形成良好的歐姆接觸。

燒結(jié)對(duì)電池片的影響

銀漿的燒結(jié)很重要，對(duì)電池片電性能影響主要表現(xiàn)在 串聯(lián)電阻和并聯(lián)電阻 ，即 FF 的變化。

鋁漿燒結(jié)的目的使?jié){料中的有機(jī)溶劑完全揮發(fā)，并形成完好的鋁硅合金和鋁層。局部的受熱不均和散熱不均可能會(huì)導(dǎo)致起包，嚴(yán)重的會(huì)起鋁珠。背面場(chǎng)經(jīng)燒結(jié)后形成的鋁硅合金，鋁在硅中是作為 P 型摻雜，它可以減少金屬與硅交接處的少子復(fù)合，從而提高 開路電壓和短路電流 ，改善對(duì)紅外線的響應(yīng)。

燒結(jié)過程

1. 室溫 ~300 度，溶劑揮發(fā)。

2.300~500度，有機(jī)樹脂分解排出，需要氧氣。

3.400 度以上，玻璃軟化。

4.600 度以上，玻璃與減反層反應(yīng)，實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電。

電池片各工序影響因素及異常情況

電池片各工藝流程危害要素及異常現(xiàn)象 

4.NaOH產(chǎn)生金字塔式絨面。NaOH濃度值越高，金字塔式容積越小，反映前期，金字塔式成核相對(duì)密度類似沒受NaOH濃度值危害，堿水溶液的腐蝕隨NaOH濃度值轉(zhuǎn)變比較顯著，濃度值高的NaOH水溶液與硅體現(xiàn)的速率加速，再反映過段時(shí)間后，金字塔式容積更大。NaOH濃度值超出必須界線時(shí)，各向異性系數(shù)縮小，絨面會(huì)愈來愈差，類似打磨拋光。可控性水平：與IPA相近，線性度不高。 

5.Na2SiO3SI和NaOH反映生產(chǎn)制造的Na2SiO3和添加的Na2SiO3能具有緩沖劑的功效，使反映不會(huì)很強(qiáng)烈,變的輕緩。Na2SiO3使反映擁有大量的起始點(diǎn)，生長(zhǎng)發(fā)育出的金字塔式更勻稱，更小一點(diǎn)兒Na2SiO3多的那時(shí)候要立即的排出去，Na2SiO3傳熱性差，會(huì)危害反映,水溶液的黏稠度也提升，非常容易產(chǎn)生水流、花藍(lán)印和表層黑斑。可控性水平：沒辦法操縱。4酸洗鈍化HCL除去硅片表層的金屬材料殘?jiān)蛩峋邆渌岷徒j(luò)合劑的雙向功效，硫酸鹽能與多種多樣金屬材料正離子產(chǎn)生可溶解與水的絡(luò)合物。6酸洗鈍化HF除去硅片表層空氣氧化層，SiO26HF=H2[siF6]2H2O。 

基準(zhǔn)點(diǎn)1．減薄量界定：硅片制絨前后左右的前后左右凈重差。操縱范疇多晶硅125，硅片薄厚在200±25μm左右，減薄量在0.5±0.2g；硅片薄厚在200±25μm左右，減薄量在0.4±0.2g。多晶硅156，首籃減薄量在0.7±0.2g；之后減薄量在0.6±0.2g。2．絨面分辨規(guī)范：成核相對(duì)密度高，尺寸適度，勻稱。

操縱范疇：多晶硅：金字塔式規(guī)格3~10um。3．外型無豁口，黑斑，裂痕，激光切割線，刮痕，凹痕，有沒有白斑病，贓污。