NR74g 3000PY光刻膠廠家產品介紹「賽米萊德」

光刻膠介紹

光刻膠介紹

光刻膠(又稱光致抗蝕劑)，是指通過紫外光、準分子激光、電子束、離子束、x射線等光源的照射或輻射，其溶解度發生變化的耐蝕刻材料。光刻膠具有光化學敏感性，其經過曝光、顯影、刻蝕等工藝，可以將設計好的微細圖形從掩膜版轉移到待加工基片。光刻膠的應用1975年，美國的國際半導體設備與材料協會首先為微電子工業配套的超凈高純化學品制定了國際統一標準——SEMI標準。因此光刻膠微細加工技術中的關鍵性化工材料，被廣泛應用于光電信息產業的微細圖形線路的加工制作。生產光刻膠的原料包括光引發劑（包括光增感劑、光致產酸劑）、光刻膠樹脂、單體和其他助劑等。

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正性光刻膠的金屬剝離技術

正性膠的金屬剝離工藝對于獲得難腐蝕金屬的細微光刻圖形比常規的光刻膠掩蔽腐蝕法顯示了優越性。本文首先對金屬剝離工藝中的正、負光刻膠的性能作了對比分析。認為正性光刻膠除圖形分辨率高而適應于微細圖形的掩膜外，它還具有圖形邊緣陡直， 去膠容易等獨特性能，比負性光刻膠更有利于金屬剝離工藝。然后給出了具體的工藝條件，并根據正性光刻膠的使用特點指出了工藝中的關鍵點及容易出現的問題。光刻的基本原理是利用光致抗蝕劑（或稱光刻膠）感光后因光化學反應而形成耐蝕性的特點，將掩模板上的圖形刻制到被加工表面上。如正性光刻膠同GaAs表面的粘附性較差，這就要求對片子表面的清潔處理更為嚴格。為了高止光刻圖形的漂移控制光刻圖形的尺寸，對曝光時同特別是顯影液溫度提出了嚴格的要求。由于工藝中基本上不經過腐蝕過程，膠膜的耐腐蝕性降到了次要地位。

光刻膠

光刻膠由光引發劑、樹脂、溶劑等基礎組分組成，又被稱為光致抗蝕劑，這是一種對光非常敏感的化合物。此外，光刻膠中還會添加光增感劑、光致產酸劑等成分來達到提高光引發效率、優化線路圖形精密度的目的。同種厚度的正負膠，在對于抗濕法和腐蝕性方面負膠更勝一籌，正膠難以企及。在受到紫外光曝光后，它在顯影液中的溶解度會發生變化。

分類

根據光刻膠按照如何響應紫外光的特性可以分為兩類。

正膠

曝光前對顯影液不可溶，而曝光后變成了可溶的，能得到與掩模板遮光區相同的圖形。

優點：分辨率高、對比度好。

缺點：粘附性差、抗刻蝕能力差、高成本。

靈敏度：曝光區域光刻膠完全溶解時所需的能量

負膠egative






Photo Resist）

與正膠反之。

優點： 良好的粘附能力和抗刻蝕能力、感光速度快。

缺點： 顯影時發生變形和膨脹，導致其分辨率。

靈敏度：保留曝光區域光刻膠原始厚度的50%所需的能量。