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陶瓷電容和瓷片電容有區別嘛，同方迪一為你解答

陶瓷電容：陶瓷電容用高介電常數的電容器陶瓷〈鈦鋇一氧化鈦〉擠壓成圓管、圓片或圓盤作為介質，并用燒滲法將銀鍍在陶瓷上作為電極制成。它又分高頻瓷介和低頻瓷介兩種。具有小的正電容溫度系數的電容器，用于高穩定振蕩回路中，作為回路電容器及墊整電容器。低頻瓷介電容器限于在工作頻率較低的回路中作旁路或隔直流用，或對穩定性和損耗要求不高的場合〈包括高頻在內〉。這種電容器不宜使用在脈沖電路中，因為它們易于被脈沖電壓擊穿。

二者聯系和區別：瓷片電容的高頻特性好，但電容值*大只能做到0.1uF。瓷片電容也屬于陶瓷電容的一種。瓷片電容的在識別上與電阻的識別方法基本相同，分直標法、色標法和數標法3種。以上就是同方迪一整理出來的資訊，同方迪一制造陶瓷電容和瓷片電容，為你提供好的CG電容產品。

高壓瓷片電容燒壞的原因介紹

一:潮濕對電參數惡化的影響。空氣中溫度過高， 會使高壓瓷片電容的表面絕緣電阻下降, 對于半密封結構電容器來說，水分會滲透到電容器的介質內部使電容器介質的絕緣電阻絕緣能力下降。因此，高溫，高濕環境對瓷片電容的損壞影響較大。

二:銀離子的遷移。無機介質電容器多半采用銀電極，半密封電容器在高溫條件下工作，滲入電容器內部的水分子產生電解。產生氧化反應，銀離子與氫氧根離子結合產生氫氧化銀。由于電極反應，銀離子遷移不僅發生在無機介質表面，還擴散到無機介質內部，引起漏電流增大，嚴重時會使兩個銀電極之間完全短路，導致高壓瓷片電容損壞或擊穿。

三:有的高壓瓷片電容，在運用測試操作時，電容器投入時的電流過大，無任何無電壓保護措施，也無串聯電抗器，使電容器過熱，絕緣降低或損壞，如果操作頻繁，也會影響陶瓷電容損壞，甚至炸掉。

四:從單顆瓷片電容分析,電容碰到了強大的電流，導致內部材料發熱，散熱不及時，造成熱擊穿損壞。

高壓瓷片電容制造工藝要點有哪些呢？?

高壓瓷片電容制造工藝要點有哪些呢？

高壓瓷片電容是以介電陶瓷為核心材料的環氧樹脂灌封的電容器。隨著時代有進步與科技發展，高壓瓷片電容主要是指交流工作電壓1KV以上的電容器，或者直流工作電壓達到40KV以上的陶瓷電容器。高壓瓷片電容制造工藝要點有哪些呢？

1、熔塊的制備

熔塊的制備質量對瓷料的球磨細度和燒成有很大的影響，如熔塊合成溫度偏低，則合成不充分，對后續工藝不利。

2、原料要精選

影響高壓陶瓷電容器質量的因素，除瓷料組成外，優化工藝制造、嚴格工藝條件是非常重要的。因此，對原料既要考慮成本又要注意純度，選擇工業純原料時，須注意原料的適用性。

3、燒成工藝

應嚴格控制燒成制度，采取性能優良的控溫設備及導熱性良好的窯具。

選購瓷片電容的技巧

選購瓷片電容的技巧

如何選購瓷片電容呢，教大家一些方法，希望可以幫助到你。

在購買瓷片電容時要先考慮的是耐壓問題而不是容量，如果一個瓷片電容的兩端的電壓超過了它的額定電壓，產品就會被擊穿損壞，導致失效，甚至連累更多的元器件，所以考慮耐壓問題非常重要。

瓷片電容的電壓分檔為300V,400V,500V,1KV,2KV等，瓷片電容的耐壓分檔為1800V,4000V等，在耐壓問題解決之后在選擇產品的容量，瓷片電容容量單位一般用微法(uf)表示如1uF=1微法，大多數電容的大小為0.1至0.01μF左右。1微法(μF)=1000納法(nF)=1000000皮法(pF)，在選購時一定要有足夠的容量來進行使用。