直流磁控濺射的行業須知

磁控濺射鍍膜機

由于ITO 薄膜的導電屬于n 型半導體性質,即其導電機制為還原態In2O3 放出兩個電子,成為氧空穴載流子和In3 ,被固溶的四價摻錫置換后放出一個電子成為電子載流子。顯然,不論哪一種導電機制,載流子密度均與濺射成膜時的氧含量有很大關系。隨著氧含量的增加,當膜的組分接近化學配比時,遷移率有所增加,但卻使載流子密度有所減少。這兩種效應的綜合結果是膜的光電性能隨氧含量的變化呈極值現象。對應極值的氧含量直接決定著“工藝窗口”的寬窄,它與成膜時的基底溫度、氣流量及膜的沉積速率等參數有關。但這不等于說陶瓷靶解決了所有的問題,其薄膜光電性能仍然受制于基底溫度、濺射電壓、氧含量等主要工藝參數的影響,不同工藝制備出的ITO薄膜的光電性能相差甚遠。為便于控制氧含量,我們采用混合比為85∶15 的氧混合氣代替純氧,氣體噴孔的設計保證了基底各處氧分子流場的均勻性。

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淺析磁控濺射鍍膜儀鍍膜優勢

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我們知道每一種鍍膜方式的不同都有不一樣的差異，這處理根據鍍膜的方式不同之外，還跟所鍍的材料有關系，這種差別我們很難看出來，因為根據目前的鍍膜行業中的一些gao端設備，比如說磁控濺射鍍膜儀，都是屬于比較精細的一種鍍膜機械。

那么在現今的發達科技中，磁控濺射鍍膜儀鍍膜有哪些優勢呢？下面小編來深入的分析一下：

磁控濺射鍍膜設備所鍍的膜穩定性好，這是因為其膜不僅厚，而且所生成的時候非常穩定，另外還根據濺射電流來控制。我們知道電流越大，這種設備的濺射率也就相對的變大，這也是磁控濺射鍍膜設備非常穩定的一個因素。

另外采用磁控濺射鍍膜設備來生成膜層，不管鍍多少次膜，他所鍍出來的膜厚度基本上是一樣的，而且非常穩定。

從上述淺析中，我們不難發現磁控濺射鍍膜設備的優勢，其實就是在于穩定，這也是目前一些精細產品鍍膜選擇這種設備的原因。

直流濺射法

直流濺射法要求靶材能夠將從離子轟擊過程中得到的正電荷傳遞給與其緊密接觸的陰極，從而該方法只能濺射導體材料，不適于絕緣材料。因為轟擊絕緣靶材時，表面的離子電荷無法中和，這將導致靶面電位升高，外加電壓幾乎都加在靶上，兩極間的離子加速與電離的機會將變小，甚至不能電離，導致不能連續放電甚至放電停止，濺射停止。故對于絕緣靶材或導電性很差的非金屬靶材，須用射頻濺射法（RF）。冷卻是一切源（磁控，多弧，離子）所必需，因為能量很大一部分轉為熱量，若無冷卻或冷卻不足，這種熱量將使靶源溫度達一千度以上從而溶化整個靶源。