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發(fā)布時(shí)間：2021-10-25 03:31
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電池片組件回收層壓三階段
振鑫焱光伏科技有限公司常年采購(gòu)：回收硅片，電池片，初級(jí)多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽(yáng)能電池，光伏組件，太陽(yáng)能電池板，客戶(hù)撤退，降級(jí)，庫(kù)存，El，不良測(cè)試，二手，舊，工程，拆卸，路燈，拆解電站，拆卸，膠合板，層壓板，無(wú)邊界晶體硅，多晶硅，單晶硅，實(shí)驗(yàn)板，債務(wù)償還，返工，光伏模塊回收等。
電池片組件回收
（1）剛開(kāi)始環(huán)節(jié)，層壓機(jī)的溫度維持在較低溫度，EVA熔融，有優(yōu)良的流通性，可是化學(xué)交聯(lián)速率比較慢。進(jìn)口真空泵對(duì)下室真空包裝，因此部件內(nèi)部的汽體快速而且非常容易的被吸走。上室維持真空泵，部件沒(méi)受工作壓力。
（2）EVA干固環(huán)節(jié)。層壓機(jī)溫度上升到1個(gè)較高溫度，EVA產(chǎn)生迅速的化學(xué)交聯(lián)反映。下室繼續(xù)保持真空包裝，立即排出來(lái)干固全過(guò)程造成的汽體。一起上室打氣，上下左右室中間的工作壓力差使層壓機(jī)中的硫化橡膠層對(duì)部件施壓。
（3）完畢環(huán)節(jié)。EVA干固進(jìn)行。起先上室真空包裝，移去工作壓力，隨后下室打氣，打開(kāi)表蓋。針對(duì)BIPV部件，兩面全是夾層玻璃，而且為了實(shí)現(xiàn)工程建筑規(guī)定，片式玻璃的厚度乃至超過(guò)5mm。基本的絕緣層背膜-EVA-電池片-EVA-夾層玻璃5層封裝加工工藝，此環(huán)節(jié)壓層出現(xiàn)的難題較多。封裝出現(xiàn)的汽泡，挪動(dòng)等狀況，依據(jù)EVA熔化干固基本原理，探求合適封裝的與眾不同加工工藝。依據(jù)具體生產(chǎn)制造必須和必須品牌EVA的干固特點(diǎn)按給出方式提升壓層主要參數(shù)。
電池片的檢驗(yàn)
振鑫焱光伏科技有限責(zé)任公司長(zhǎng)期購(gòu)置：天價(jià)回收硅片，電池片，初中級(jí)多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽(yáng)電池，太陽(yáng)能組件，太陽(yáng)能光伏板，顧客撤離，退級(jí)，庫(kù)存量，El，欠佳檢測(cè)，2手，舊，工程項(xiàng)目，拆裝，道路路燈，拆卸發(fā)電廠，拆裝，人造板，層壓板，無(wú)界限結(jié)晶硅，多晶硅，單晶硅，試驗(yàn)板，負(fù)債還款，返修，太陽(yáng)能發(fā)電控制模塊收購(gòu)等。
6、加工工藝小圓圈該怎樣判？
人們檢測(cè)處未作退級(jí)解決，假如發(fā)覺(jué)小圓圈的半經(jīng)超出1.6mm立即向主管意見(jiàn)反饋或告之品管部，PECVD處會(huì)立即將高純石墨舟換下來(lái)
7、隱裂片怎樣造成？怎樣判？
大部分是原料的難題，另一個(gè)是影片在外擴(kuò)散高溫反映后內(nèi)部分子結(jié)構(gòu)產(chǎn)生撞擊。在多芯片里，一些隱裂片裂縫并不是很長(zhǎng)，能夠按文檔規(guī)定作需切角。
8、空氣氧化的電池片怎樣判？
如果不是將其風(fēng)干，依據(jù)空氣氧化后得色調(diào)判。（淡黃色）
9、怎樣了解跑模產(chǎn)生在哪兒一條？
以料漿的色調(diào)來(lái)判，第二條豫第三道的料漿是不會(huì)改變的，各自是鋁漿和銀漿，色調(diào)各自為深灰色和乳白色。一層有將會(huì)是銀漿或銀鋁漿，銀鋁漿是灰白，另一個(gè)，要看漏漿的部位。
10、對(duì)斷開(kāi)未超出2mm的電池片，判斷不相同？ 先依照文檔判斷是不是超出規(guī)定的總數(shù)，如果不是，按斷開(kāi)的顯著水平及部位。
電池片生產(chǎn)工藝流程
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電池片生產(chǎn)流程
一
、
制絨
a.
目地
在硅單晶的表面產(chǎn)生坑凹狀表面，降低電池片的反射的自然光，提升二次反射的總面積。
一般狀況下，用堿解決是以便獲得金字塔狀磨砂皮；用酸處理是以便獲得蟲(chóng)孔狀磨砂皮。無(wú)論是哪樣磨砂皮，都能夠提升硅單晶的陷光功效。
b.步驟
1.
基本標(biāo)準(zhǔn)下，硅與單純性的HF、HNO
3
（硅表面會(huì)被鈍化處理，二氧化硅與HNO
3
不反映）覺(jué)得不是反映的。但在二種混和酸的管理體系中，硅則能夠與水溶液開(kāi)展不斷的反映
。
硅的氧化
氰化鈉/（HNO
2
）將硅氧化成二氧化硅（關(guān)鍵是將硅氧化）
Si 4HNO
3
=SiO
2
4NO
2
2H
2
O
(慢反映
3Si 4HNO
3
=3Si 
