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發(fā)布時(shí)間：2021-10-19 07:28
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關(guān)于電容器的知識
電容縮寫為電容，用字母 C表示。
定義1：電容器，顧名思義，是一個(gè)“裝電的容器”，它是一種儲存電荷的裝置。英文名字： capacitor。在電子設(shè)備中，電容被廣泛地應(yīng)用于電子器件中，如隔直、耦合、旁路、濾波、調(diào)諧回路、能量轉(zhuǎn)換、控制電路等。
定義2：電容器，任何兩個(gè)彼此絕緣并且隔得很近的導(dǎo)體(包括導(dǎo)線)之間都構(gòu)成電容器。
電容器/鋁電解電容器
真空容器/漆膜電容器
復(fù)合型電容器/玻璃釉電容器
有機(jī)薄膜電容器/導(dǎo)電塑料電位計(jì)
紅外線熱敏電阻/氣體電阻
瓷瓶/鉭電容器
紙介電容器/電子電位計(jì)
磁電阻電位計(jì)/濕敏電阻
感光電阻電位計(jì)/固定電阻
變阻器/排電阻器
其他電阻/電位計(jì)/熔斷電阻/電位計(jì)
運(yùn)行中的電容器的維護(hù)
1、電容器應(yīng)有當(dāng)班人員，應(yīng)做好設(shè)備運(yùn)行記錄。
2、運(yùn)行電容器組外觀巡檢，按規(guī)范規(guī)定每日進(jìn)行，如發(fā)現(xiàn)外殼膨脹應(yīng)停止使用，以免出現(xiàn)故障。
3、檢查電容器組的每相負(fù)載可用電流表。
4、投入電容器組時(shí)，環(huán)境溫度不能低于-40℃，工作環(huán)境溫度1小時(shí)，平均不超過40℃，2小時(shí)平均不能超過30℃，且一年平均不能超過20℃。如果超出要求，使用人工冷卻(安裝風(fēng)扇)或?qū)㈦娙萜鹘M與電網(wǎng)分開。
5、安裝地點(diǎn)的溫度檢查和電容器外殼熱溫度的檢查可以通過溫度計(jì)等方式進(jìn)行，并記錄溫度(尤其在夏季)。
電容器的工作電壓和電流，在使用中，其額定電壓不能超過1.1倍，額定電流1.3倍。
7、在接通電容器后，會造成電網(wǎng)電壓升高，尤其是負(fù)荷較輕的情況下，應(yīng)將部分電容器或所有電容器從電網(wǎng)中切斷。
電容器殼體和支撐絕緣子表面應(yīng)清潔、無損傷、無放電痕跡，電容器外殼應(yīng)清潔、不變形、不滲油，電容器及鐵架的表面不得有灰塵及其它污物。
電子器件損壞特性概述
一、電阻損壞特性
電阻器是數(shù)量的電子設(shè)備，但并非損壞率高的元件。電阻性損傷以開路為常見，阻值變大是罕見的，阻值變小也很少見。常用的有碳膜電阻、金屬膜電阻、線繞電阻、保險(xiǎn)電阻等。
頭兩種電阻應(yīng)用，破壞特性如下：一是低阻值(100Ω以下)和高阻值(100 kΩ以上)損壞率較高，中間阻值(如幾百歐至幾十千歐)損壞；二是低阻值電阻損壞時(shí)往往是燒焦發(fā)黑，很容易發(fā)現(xiàn)，而高阻值電阻損壞時(shí)很容易發(fā)現(xiàn)。
線繞電阻通常用于大電流限制，但阻值不大。圓筒形線繞電阻燒壞后有些會發(fā)黑或表面爆皮、裂紋，有些無痕。水阻是線繞電阻的一種，燒壞后可能會斷裂，否則沒有任何可見痕跡。保險(xiǎn)絲電阻燒壞的時(shí)候有些表面會炸掉一塊皮，有些也沒有任何痕跡，但不會變黑。基于上述特點(diǎn)，在檢測電阻時(shí)可著重于快速找到損壞電阻。
二、電解電容損壞特點(diǎn)
電容器在電氣設(shè)備中的用量很大，故障率很高。電解質(zhì)損壞主要表現(xiàn)為：
一是容量完全損失或容量減少；
二為輕度或嚴(yán)重漏電；
三是容量損失或容量變小兼有漏電。
三、二極管，三極管等半導(dǎo)體器件損壞特性
三極管的損壞一般為 PN結(jié)擊穿或開路，其中以擊穿短路為主。另外，還存在兩種損壞表現(xiàn)：
，熱穩(wěn)定性變差，表現(xiàn)為通電時(shí)正常，一段時(shí)間后發(fā)生軟擊穿；
二是 PN結(jié)的性質(zhì)變差，用萬用表 R×1 k測得，所有 PN結(jié)都正常，但是上機(jī)后，不能正常工作，如果用 R×10或 R×1低量程檔測， PN結(jié)正向阻值比正常值大。
四、集成電路損害特征
IC內(nèi)部結(jié)構(gòu)復(fù)雜，有很多功能，其中任何一部分損壞不能正常工作。IC有兩種損壞：完全損壞，熱穩(wěn)定性差。當(dāng)一個(gè)電路完全損壞時(shí)，可以拆開它，和一般同型號的集成電路比較，測其每個(gè)針對地的正反兩個(gè)電阻，總能發(fā)現(xiàn)一個(gè)或幾個(gè)管腳阻值異常。對于熱穩(wěn)定性差的，可以在設(shè)備工作時(shí)，用無水酒精冷卻集成電路，如果故障出現(xiàn)延遲或不再發(fā)生故障，就可以判定。一般只能更換新集成電路來排除。
談?wù)摕衢T的太赫茲芯片
在太赫茲芯片相關(guān)的基礎(chǔ)設(shè)施方面，與太赫茲技術(shù)相關(guān)的芯片通常采用成熟的工藝，比如今年 ISSCC的八篇，全部采用28 nm和以前的工藝(大部分采用65 nm工藝)，這是因?yàn)橄冗M(jìn)工藝的器件特性對于太赫茲技術(shù)來說并不是很大。他說：“我們預(yù)計(jì)，未來太赫茲芯片的芯片工藝將逐漸向28 nm轉(zhuǎn)移，但不能使用16 nm以下。其結(jié)果是，中國的太赫茲芯片不受半導(dǎo)體工藝的限制。
但在半導(dǎo)體工藝之外，中國在太赫茲芯片領(lǐng)域的基礎(chǔ)設(shè)施在 EDA領(lǐng)域落后。目前太赫茲 EDA主要利用 Ansys的 HFSS做無源器件(以及波導(dǎo))模擬，同時(shí)將電路級有源器件的常用模擬 Cadence的 SpectreRF集成起來。這方面，中國的 EDA技術(shù)與世界水平相比還有不少差距。
在太赫茲芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域，中科院上海微系統(tǒng)所、中電38所、50所等科研機(jī)構(gòu)都有相關(guān)投入。另外，在太赫茲芯片商用化領(lǐng)域，一些中國的創(chuàng)業(yè)公司也正在努力。舉例來說，以太赫茲安檢成像技術(shù)為主導(dǎo)的新公司微度芯創(chuàng)公司，已有80 GHz雷達(dá)芯片量產(chǎn)，160 GHz雷達(dá)芯片已完成驗(yàn)證，240 GHz雷達(dá)芯片正在設(shè)計(jì)中，預(yù)計(jì)在未來幾年內(nèi)其產(chǎn)品將會進(jìn)入下一代基于太赫茲成像的高通量安檢產(chǎn)品，值得我們期待。當(dāng)太赫茲技術(shù)進(jìn)一步成熟時(shí)，我們相信中國的相關(guān)芯片領(lǐng)域也會越來越多。這個(gè)領(lǐng)域并非完全陌生，很多設(shè)計(jì)技巧和毫米波電路和系統(tǒng)都可以說是一脈相承的，除此之外，中國還有很大的安全檢測市場，所以我們認(rèn)為中國在未來太赫茲芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域?qū)澜绲某绷鳌?
