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ASEMI整流肖特基二極管快資訊！

SiC高壓SBD

由于Si和GaAs的勢壘高度和臨界電場比寬帶半導體材料低，用其制作的SBD擊穿電壓較低，反向漏電流較大。碳化硅(SiC)材料的禁帶寬度大(2.2eV~3.2eV)，臨界擊穿電場高(2V/cm~4×106V/cm)，飽合速度快(2×107cm/s)，熱導率高為4.9W/(cm·K)，抗化學腐蝕性強，硬度大，材料制備和制作工藝也比較成熟，是制作高耐壓、低正向壓降和高開關(guān)速度SBD的比較理想的新型材料。

ASEMI肖特基二極管的結(jié)構(gòu)與封裝介紹

　　肖特基對管又有共陰(兩管的負極相連)、共陽(兩管的正極相連)和串聯(lián)(一只二極管的正極接另一只二極管的負極)三種管腳引出方式。ASEMI品牌肖特基二極管將這兩種封裝都統(tǒng)一使用的是行業(yè)認可的TO-220封裝，而區(qū)別則是三只腳以CT來代表，兩只腳的以AC為代表。

　　采用表面封裝的肖特基二極管有單管型、雙管型和三管型等多種封裝形式。

關(guān)于肖特基MBR系列

　　為什么國際通用常見的肖特基二極管都以"MBR"字頭命名？

　　因為最早是世界半導體公司-摩托羅拉半導體命名的產(chǎn)品型號

　　M:是以最早MOTOROLA的命名，取M

　　B:Bridge 橋；Barrier:勢壘

　　R:Rectifier,整流器 "MBR"意為整流器件

　　SCHOTTKY:肖特基 SCHOTTKY RECTIFIER DIODES:肖特基整流二極管。

　　例如：MBR20100CT

　　M:MOTOROLA 縮寫M

　　B:Barrier1 縮寫B(tài)

　　R:Rectifier 縮寫R

　　20:電流20A

　　100:電壓100V

　　C:表示TO-220AB封裝，常指半塑封。

　　T:表示管裝