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              RD6光刻膠公司規格齊全 北京賽米萊德

              發布時間:2021-06-13 10:05  

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              光刻膠的參數

              賽米萊德專業生產、銷售光刻膠,我們為您分析該產品的以下信息。

              分辨率

              分辨率英文名:resolution。區別硅片表面相鄰圖形特征的能力,一般用關鍵尺寸(CD,Critical Dimension)來衡量分辨率。形成的關鍵尺寸越小,光刻膠的分辨率越好。

              對比度

              對比度(Contrast)指光刻膠從曝光區到非曝光區過渡的陡度。對比度越好,形成圖形的側壁越陡峭,分辨率越好。

              敏感度

              敏感度(Sensitivity)光刻膠上產生一個良好的圖形所需一定波長光的能量值(或曝光量)。單位:毫焦/平方厘米或mJ/cm2。光刻膠的敏感性對于波長更短的深紫外光(DUV)、極深紫外光(EUV)等尤為重要。

              粘滯性黏度

              粘滯性/黏度(Viscosity)是衡量光刻膠流動特性的參數。粘滯性隨著光刻膠中的溶劑的減少而增加;高的粘滯性會產生厚的光刻膠;越小的粘滯性,就有越均勻的光刻膠厚度。光刻膠的比重(SG,Specific Gravity)是衡量光刻膠的密度的指標。它與光刻膠中的固體含量有關。較大的比重意味著光刻膠中含有更多的固體,粘滯性更高、流動性更差。粘度的單位:泊(poise),光刻膠一般用厘泊(cps,厘泊為1%泊)來度量。百分泊即厘泊為粘滯率;運動粘滯率定義為:運動粘滯率=粘滯率/比重。 單位:百分斯托克斯(cs)=cps/SG。

              粘附性

              粘附性(Adherence)表征光刻膠粘著于襯底的強度。光刻膠的粘附性不足會導致硅片表面的圖形變形。光刻膠的粘附性必須經受住后續工藝(刻蝕、離子注入等)。

              抗蝕性

              抗蝕性(Anti-etching)光刻膠必須保持它的粘附性,在后續的刻蝕工序中保護襯底表面。耐熱穩定性、抗刻蝕能力和抗離子轟擊能力。

              表面張力

              液體中將表面分子拉向液體主體內的分子間吸引力。光刻膠應該具有比較小的表面張力(Surface Tension),使光刻膠具有良好的流動性和覆蓋。



              光刻膠的生產步驟  

              1、準備基質:在涂布光阻劑之前,硅片一般要進行處理,需要經過脫水烘培蒸發掉硅片表面的水分,并涂上用來增加光刻膠與硅片表面附著能力的化合物以及硅二乙胺。

              2、涂布光阻劑(photo resist):將硅片放在一個平整的金屬托盤上,托盤內有小孔與真空管相連,硅片就被吸在托盤上,這樣硅片就可以與托盤一起旋轉。

              3、軟烘干:也稱前烘。在液態的光刻膠中,溶劑成分占65%-85%,甩膠之后雖然液態的光刻膠已經成為固態的薄膜,但仍有10%-30%的溶劑,容易玷污灰塵。通過在較高溫度下進行烘培,可以使溶劑從光刻膠中揮發出來,從而降低了灰塵的玷污。

              4、曝光:曝光過程中,光刻膠中的感光劑發生光化學反應,從而使正膠的感光區、負膠的非感光區能夠溶解于顯影液中。正性光刻膠中的感光劑DQ發生光化學反應,變為乙烯酮,進一步水解為茚并羧酸,羧酸對堿性溶劑的溶解度比未感光的感光劑高出約100倍,同時還會促進酚醛樹脂的溶解。于是利用感光與未感光的光刻膠對堿性溶劑的不同溶解度,就可以進行掩膜圖形的轉移。

              5、顯影(development) :經顯影,正膠的感光區、負膠的非感光區溶解于顯影液中,曝光后在光刻膠層中的潛在圖形,顯影后便顯現出來,在光刻膠上形成三位圖形。為了提高分辨率,幾乎每一種光刻膠都有專門的顯影液,以保證高質量的顯影效果。

              6、硬烘干:也稱堅膜。顯影后,硅片還要經過一個高溫處理過程,主要作用是除去光刻膠中剩余的溶劑,增強光刻膠對硅片表面的附著力,同時提高光刻膠在刻蝕和離子注入過程中的抗蝕性和保護能力。

              7、刻(腐)蝕或離子注入

              8、去膠:刻蝕或離子注入之后,已經不再需要光刻膠作保護層,可以將其除去,稱為去膠,分為濕法去膠和干法去膠,其中濕法去膠又分去膠和無機溶劑去膠。

              以上內容由賽米萊德為您提供,希望對同行業的朋友有所幫助!


              光刻膠的未來發展

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              由于光刻膠的技術壁壘較高,國內光刻膠市場基本被國外企業壟斷。特別是高分辨率的KrF和ArF光刻膠,基本被日本和美國企業占據。  

              國內光刻膠生產商主要生產PCB光刻膠,面板光刻膠和半導體光刻膠生產規模相對較小。國內生產的光刻膠中,PCB光刻膠占比94%,LCD光刻膠和半導體光刻膠占比分別僅有3%和2%。

              國內光刻膠需求量遠大于本土產量,且差額逐年擴大。由于國內光刻膠起步晚,目前技術水平相對落后,生產產能主要集中在PCB光刻膠、TN/STN-LCD光刻膠等中低端產品,TFT-LCD、半導體光刻膠等高技術壁壘產品產能很少,仍需大量進口,從而導致國內光刻膠需求量遠大于本土產量。



              光刻膠的應用

              光刻膠是微電子技術中微細圖形加工的關鍵材料之一,特別是近年來大規模和超大規模集成電路的發展,更是大大促進了光刻膠的研究開發和應用。印刷工業是光刻膠應用的另一重要領域。

              期望大家在選購光刻膠時多一份細心,少一份浮躁,不要錯過細節疑問。想要了解更多光刻膠的相關資訊,歡迎撥打圖片上的熱線電話!!!



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