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發布時間：2020-10-30 07:07
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光刻膠：用化學反應進行圖像轉移的媒介
光刻膠具有光化學敏感性，其經過曝光、顯影、刻蝕等工藝，可以將設計好的微細圖形從掩膜版轉移到待加工基片。
光刻膠和集成電路制造產業鏈的前端的即為光刻膠專用化學品，生產而得的不同類型的光刻膠被應用于消費電子、家用電器、信息通訊、汽車電子、航空航天等在內的各個下游終端領域，需求較為分散。
光刻膠基于應用領域不同一般可以分為半導體集成電路（IC）光刻膠、 PCB光刻膠以及LCD光刻膠三個大類。其中， PCB光刻膠占全球市場24.5%，半導體IC光刻膠占全球市場24.1%，LCD光刻膠占全球市場26.6%。
NR9-3000PYNR9 3000P光刻膠廠家
三、光刻膠涂覆（Photoresist Coating）
光刻膠涂覆通常的步驟是在涂光刻膠之前，先在900-1100度濕氧化。氧化層可以作為濕法刻蝕或B注入的膜版。作為光刻工藝自身的首先過程，一薄層的對紫外光敏感的有機高分子化合物，即通常所說的光刻膠，要涂在樣品表面(SiO2)。首先光刻膠被從容器中取出滴布到置于涂膠機中的樣品表面，(由真空負壓將樣品固定在樣品臺上)，樣品然后高速旋轉，轉速由膠粘度和希望膠厚度確定。在這樣的高速下，膠在離心力的作用下向邊緣流動。目前，國外阻抗已達到15次方以上，而國內企業只能做到10次方，滿足不了客戶工藝要求和產品升級的要求，有的工藝雖達標了，但批次穩定性不好。
涂膠工序是圖形轉換工藝中初的也是重要的步驟。涂膠的質量直接影響到所加工器件的缺陷密度。為了保證線寬的重復性和接下去的顯影時間，同一個樣品的膠厚均勻性和不同樣品間的膠厚一致性不應超過±5nm(對于1.5um膠厚為±0.3%)。
光刻膠的目標厚度的確定主要考慮膠自身的化學特性以及所要圖形中線條的及間隙的微細程度。太厚膠會導致邊緣覆蓋或連通、小丘或田亙狀膠貌、使成品率下降。在MEMS中、膠厚(烤后)在0.5-2um之間，而對于特殊微結構制造，膠厚度有時希望1cm量級。在后者，旋轉涂膠將被鑄膠或等離子體膠聚合等方法取代。常規光刻膠涂布工序的優化需要考慮滴膠速度、滴膠量、轉速、環境溫度和濕度等，這些因素的穩定性很重要。光刻光路的設計，有利于進一步提升數值孔徑，隨著技術的發展，數值孔徑由0。
在工藝發展的早期，負膠一直在光刻工藝中占主導地位，隨著VLSI IC和2～5微米圖形尺寸的出現，負膠已不能滿足要求。隨后出現了正膠，但正膠的缺點是粘結能力差。
用正膠需要改變掩膜版的極性，這并不是簡單的圖形翻轉。因為用掩膜版和兩種不同光刻膠結合，在晶園表面光刻得到的尺寸是不一樣的，由于光在圖形周圍的衍射效應，使得用負膠和亮場掩膜版組合在光刻膠層上得到的圖形尺寸要比掩膜版上的圖形尺寸小。用正膠和暗場掩膜版組合會使光刻膠層上的圖形尺寸變大。有專家提出，盡管國產光刻膠在面板一時用不起來，但政府還是要從政策上鼓勵國內普通面板的生產企業盡快用起來。
2,涂膠，在硅片覆蓋，旋轉，離心力，在硅片表面通過旋轉的光刻膠，工藝參數3000-6000rpm 膠膜厚0.5-1um，
3,前烘，通過在較高溫度下進行烘焙，使存底表面涂覆的光刻膠膜的溶劑揮發，溶劑將至5%左右，同時增強與襯底的粘附性。前烘方法：熱平板傳導，干燥循環熱風提高附著力，紅外線輻射。
烘箱前烘條件：90-100度，10-20min，前烘時間與溫度應適當，如太長或溫度太高，光刻膠層變脆而附著力下降，而前烘不足會影響后面的顯影效果。
NR77-25000P,RD8
品牌
產地
型號
厚度
曝光
應用
加工
特性
Futurrex
美國
NR71-1000PY
0.7μm~2.1μm
高溫耐受
用于i線曝光的負膠
LEDOLED、
顯示器、
MEMS、
封裝、
生物芯片等
金屬和介電
質上圖案化，
不必使用RIE
加工器件的永
組成
（OLED顯示
器上的間隔
區）凸點、
互連、空中
連接微通道
顯影時形成光刻膠倒
梯形結構
厚度范圍：
0.5～20.0 μm
i、g和h線曝光波長
對生產效率的影響：
金屬和介電質圖案化
時省去干法刻蝕加工
不需要雙層膠技術
NR71-1500PY
1.3μm~3.1μm
NR71-3000PY
2.8μm～6.3μm
NR71-6000PY
5.7μm~12.2μm
NR9-100PY
粘度增強
NR9-1500PY
NR9-3000PY
2.8μm~6.3μm
NR9-6000PY
NR71G-1000PY
負膠對 g、h線波長的靈敏度
NR71G-1500PY
NR71G-3000PY
NR71G-6000PY
NR9G-100PY
0.7μm～2.1μm
NR9G-1500PY
1.3μm～3.1μm
NR9G-3000PY
NR9G-6000PY
耐熱溫度
PR1-500A
0.4μm～0.9μm
