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發(fā)布時間：2021-08-20 00:00
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光刻膠分類
市場上，光刻膠產(chǎn)品依據(jù)不同標準，可以進行分類。依照化學反應和顯影原理分類，光刻膠可以分為正性光刻膠和負性光刻膠。使用正性光刻膠工藝，形成的圖形與掩膜版相同；使用負性光刻膠工藝，形成的圖形與掩膜版相反。
按照感光樹脂的化學結構分類，光刻膠可以分為①光聚合型，采用烯類單體，在光作用下生成自由基，進一步引發(fā)單體聚合，后生成聚合物，具有形成正像的特點；②光分解型，采用含有疊氮醌類化合物的材料，其經(jīng)光照后,發(fā)生光分解反應，可以制成正性膠；目前，國外阻抗已達到15次方以上，而國內(nèi)企業(yè)只能做到10次方，滿足不了客戶工藝要求和產(chǎn)品升級的要求，有的工藝雖達標了，但批次穩(wěn)定性不好。③光交聯(lián)型，采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料，在光的作用下，形成一種不溶性的網(wǎng)狀結構，而起到抗蝕作用，可以制成負性光刻膠。
按照曝光波長分類，光刻膠可分為紫外光刻膠（300~450nm）、深紫外光刻膠（160~280nm）、極紫外光刻膠（EUV，13.5nm）、電子束光刻膠、離子束光刻膠、X射線光刻膠等。不同曝光波長的光刻膠，其適用的光刻極限分辨率不同，通常來說，在使用工藝方法一致的情況下，波長越小，加工分辨率越佳。受全球半導體市場復蘇和國內(nèi)承接產(chǎn)業(yè)轉移，預計全球光刻膠市場將保持穩(wěn)定增速，國內(nèi)市占率穩(wěn)步抬升。
光刻工藝重要性二
光刻膠的曝光波長由寬譜紫外向g線→i線→KrF→ArF→EUV(13.5nm)的方向移動。隨著曝光波長的縮短，光刻膠所能達到的極限分辨率不斷提高，光刻得到的線路圖案精密度更佳，而對應的光刻膠的價格也更高。
光刻光路的設計，有利于進一步提升數(shù)值孔徑，隨著技術的發(fā)展，數(shù)值孔徑由0.35發(fā)展到大于1。相關技術的發(fā)展也對光刻膠及其配套產(chǎn)品的性能要求變得愈發(fā)嚴格。
工藝系數(shù)從0.8變到0.4，其數(shù)值與光刻膠的產(chǎn)品質(zhì)量有關。結合雙掩膜和雙刻蝕等技術，現(xiàn)有光刻技術使得我們能夠用193nm的激光完成10nm工藝的光刻。
為了實現(xiàn)7nm、5nm制程，傳統(tǒng)光刻技術遇到瓶頸，EUV(13.5nm)光刻技術呼之欲出，臺積電、三星也在相關領域進行布局。EUV光刻光路基于反射設計，不同于上一代的折射，其所需光刻膠主要以無機光刻膠為主，如金屬氧化物光刻膠。
NR77-20000PMSDS
光刻膠運輸標識及注意事項
標簽上標明的意思
R標識
R10 YI燃。
S標識
S16 遠離火源-禁止吸煙。
S 24 避免接觸皮膚。
S 33對靜電放電采取預防措施。
S 9 將容器保持在通風良好的地方。
水生毒性
通過自然環(huán)境中的化學、光化學和微生物降解來分解。一般不通過水解降解。300 ppm對水生生物是安全的。鹵化反應可能發(fā)生在水環(huán)境中。
