NR74g 6000PY光刻膠公司誠信企業推薦北京賽米萊德公司

發布時間：2021-10-23 08:41

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光刻膠分類

市場上，光刻膠產品依據不同標準，可以進行分類。依照化學反應和顯影原理分類，光刻膠可以分為正性光刻膠和負性光刻膠。使用正性光刻膠工藝，形成的圖形與掩膜版相同；使用負性光刻膠工藝，形成的圖形與掩膜版相反。

按照感光樹脂的化學結構分類，光刻膠可以分為①光聚合型，采用烯類單體，在光作用下生成自由基，進一步引發單體聚合，后生成聚合物，具有形成正像的特點；品牌產地型號厚度曝光應用加工特性Futurrex美國NR71-1000PY0。②光分解型，采用含有疊氮醌類化合物的材料，其經光照后,發生光分解反應，可以制成正性膠；③光交聯型，采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料，在光的作用下，形成一種不溶性的網狀結構，而起到抗蝕作用，可以制成負性光刻膠。

按照曝光波長分類，光刻膠可分為紫外光刻膠（300~450nm）、深紫外光刻膠（160~280nm）、極紫外光刻膠（EUV，13.5nm）、電子束光刻膠、離子束光刻膠、X射線光刻膠等。據中國產業信息網數據，2015年，PCB光刻膠、LCD光刻膠和半導體光刻膠的國際市場增速均在5%左右。不同曝光波長的光刻膠，其適用的光刻極限分辨率不同，通常來說，在使用工藝方法一致的情況下，波長越小，加工分辨率越佳。

光刻工藝主要性一

光刻膠不僅具有純度要求高、工藝復雜等特征，還需要相應光刻機與之配對調試。PR1-2000A1可以滿足對附著能力較高的要求，在使用PR1-2000A1時一般不需要增粘劑，如HMDS。一般情況下，一個芯片在制造過程中需要進行10~50道光刻過程，由于基板不同、分辨率要求不同、蝕刻方式不同等，不同的光刻過程對光刻膠的具體要求也不一樣，即使類似的光刻過程，不同的廠商也會有不同的要求。

針對不同應用需求，光刻膠的品種非常多，這些差異主要通過調整光刻膠的配方來實現。因此，通過調整光刻膠的配方，滿足差異化的應用需求，是光刻膠制造商核心的技術。

此外，由于光刻加工分辨率直接關系到芯片特征尺寸大小，而光刻膠的性能關系到光刻分辨率的大小。限制光刻分辨率的是光的干涉和衍射效應。光刻分辨率與曝光波長、數值孔徑和工藝系數相關。

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正膠PR1-2000A1技術資料

正膠PR1-2000A1是為曝光波長為365 或者436納米，可用于晶圓步進器、掃描投影對準器、近程打印機和接觸式打印機等工具。PR1-2000A1可以滿足對附著能力較高的要求，在使用PR1-2000A1時一般不需要增粘劑，如HMDS。

相對于其他的光刻膠，PR1-2000A1有如下的一些額外的優勢：

PEB，不需要后烘的步驟；

較高的分別率；

快速顯影；

較強的線寬控制；

蝕刻后去膠效果好；

在室溫下有效期長達2年。