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發布時間:2020-11-07 06:53  
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溫度對微弧氧化的影響
微弧氧化與陽極氧化不同,所需溫度范圍較寬。一般為10—90度。溫度越高,成膜越快,但粗糙度也增加。且溫度高,會形成水氣。一般建議在20—60度。由于微弧氧化以熱能形式釋放,所以液體溫度上升較快,微弧氧化過程須配備容量較大的熱交換制冷系統以控制槽液溫度。這從根本上克服了鋁、鎂、鈦合金材料在應用中的缺點,因此該技術有廣闊的應用前景。所以微弧氧化過程中一定要控制好溫度。微弧、微弧氧化、微弧氧化技術、微弧氧化電源
微弧氧化抹的特點
微弧氧化處理后的鋁基表面陶瓷膜層具有硬度高,耐蝕性強,絕緣性好,膜層與基底金屬結合力強,并具有很好的耐磨和耐熱沖擊等性能。微弧氧化的合適放電區間較窄,要求對放電后的電參數控制比較好,大電流、高電壓對供電電源提出了高要求,由于對微弧氧化本質認識限制,使得電源的設計及制造仍停留在經驗摸索層面上,帶有很大的盲目性。微弧氧化過程在微弧氧化處理過程中,待氧化試樣與電源正極相連,作為陽極浸入電解液之中,不銹鋼電解槽作為陰極與電源負極相連。微弧氧化技術、微弧氧化生產線、微弧氧化電源
微弧氧化
在微弧氧化過程中,化學氧化、電化學氧化、等離子體氧化同時存在,因此陶瓷層的形成過程非常復雜,至今還沒有一個合理的模型能全描述陶瓷層的形成。微弧氧化工藝將工作區域由普通陽極氧化的法拉第區域引入到高壓放電區域,克服了硬質陽極氧化的缺陷,極大地提高了膜層的綜合性能。在相同的微弧電解電壓下,電解質濃度越大,成膜速度就越快,溶液溫度上升越慢,反之,成膜速度較慢,溶液溫度上升較快。微弧氧化膜層與基體結合牢固,結構致密,韌性高,具有良好的耐磨、耐腐蝕、耐高溫沖擊和電絕緣等特性。

微弧氧化
微弧氧化,是在電解質溶液中(一般是弱堿性溶液)施加高電壓(直流、交流或脈沖)在材料表面原位生長陶瓷氧化膜的過程,該過程是物理放電與電化學氧化、等離子體氧化協同作用的結果。微弧氧化技術是在普通陽極氧化技術的基礎上發展起來的,進一步提高電壓,使電壓超出法拉第區,達到氧化膜的擊穿電壓,就會在陽極出現火花放電現象,在材料表面形成陶瓷氧化膜,使等離子體氧化膜既有陶瓷膜的,又保持了陽極氧化膜與基體的結合力。微弧氧化處理可在酸性和堿性電解液中進行,但由于酸性電解液對環境污染性較大現已較少使用。