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刻蝕氣體的選擇

對于多晶硅柵電極的刻蝕，腐蝕氣體可用Cl2或SF6，要求對其下層的柵氧化膜具有高的選擇比。刻蝕單晶硅的腐蝕氣體可用Cl2/SF6或SiCl4/Cl2；刻蝕SiO2的腐蝕氣體可用CHF3或CF4/H2；刻蝕Si3N4的腐蝕氣體可用CF4/O2、SF6/O2或CH2F2/CHF3/O2；刻蝕Al（或Al-Si-Cu合金）的腐蝕氣體可用Cl2、BCl3或SiCl4；刻蝕W的腐蝕氣體可用SF6或CF4；刻蝕光刻膠的腐蝕氣體可用氧氣。對于石英材料，可選擇氣體種類較多，比如CF4、CF4 H2、CHF3 等。我們選用CHF3 氣體作為石英的腐蝕氣體。其反應過程可表示為：CHF3 e——CHF 2 F (游離基) 2e，SiO 2 4F SiF4 (氣體) O 2 (氣體)。SiO 2 分解出來的氧離子在高壓下與CHF 2 基團反應， 生成CO ↑、CO 2↑、H2O ↑、O F↑等多種揮發性氣體 [3]  。

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離子束刻蝕機

具有一定能量的離子束轟擊樣品表面，把離子束動能傳給樣品原子，使樣品表面的原子掙脫原子間的束縛力而濺射出來，從而實現刻蝕目的。這是純粹的物理濺射過程。

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離子束刻蝕是利用離子束直接轟擊工件，將工件上的材料濺射出來，實現材料去除的目的。離子束刻蝕是純物理刻蝕過程，在各種常規刻蝕方法中具有分辨率較高、陡直性較好的特點。應用于在基板表面拋光或材料的去除，尤其適用于金屬材料薄膜的刻蝕，如Cu、Au、Pt、Ti、Ni、niCr等。

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