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              導電膜電磁屏蔽測試服務為先「多圖」

              發布時間:2020-10-19 10:29  

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              電磁屏蔽

              屏蔽體對來自導線、電纜、元部件、電路或系統等外部的干擾電磁波和內部電磁波均起著吸收能量(渦流損耗)、反射能量(電磁波在屏蔽體上的界面反射)和抵消能量(電磁感應在屏蔽層上產生反向電磁場,可抵消部分干擾電磁波)的作用,所以屏蔽體具有減弱干擾的功能。例如有時采用鑄鐵、坡莫合金、電解銅3種材料制成多層屏蔽,以滿足導電、導磁等要求。⑴當干擾電磁場的頻率較高時,利用低電阻率的金屬材料中產生的渦流,形成對外來電磁波的抵消作用,從而達到屏蔽的效果。⑵當干擾電磁波的頻率較低時,要采用高導磁率的材料,從而使磁力線限制在屏蔽體內部,防止擴散到屏蔽的空間去。⑶在某些場合下,如果要求對高頻和低頻電磁場都具有良好的屏蔽效果時,往往采用不同的金屬材料組成多層屏蔽體。











              被動屏蔽和主動屏蔽

              根據干擾源相對于屏蔽體的位置(在屏蔽體的內部或外部).可分為主動屏蔽與被動屏蔽。電磁屏蔽室電磁屏蔽室就是利用屏蔽材料阻隔或削弱被屏蔽區域與外界的電磁能量傳播。若屏蔽體用來防止干擾場進入被屏蔽空間,這種屏蔽結構稱為被動屏蔽。若干擾源在屏蔽體內部,屏蔽體用來防止干擾場泄露到外部空間,則稱這種屏蔽結構為主動屏蔽。主動屏蔽不適用于高頻,而專門用于低頻。被動屏蔽體多用于屏蔽對象與干擾源相距較遠的場合,如屏蔽室等。












              電磁屏蔽的方法

              靜電屏蔽:為了避免外界電場對儀器設備的影響,或者為了避免電器設備的電場對外界的影響,用一個空腔導體把外電場遮住,使其內部不受影響,也不使電器設備對外界產生影響,這就叫做靜電屏蔽。

              在靜電平衡狀態下,不論是空心導體還是實心導體;不論導體本身帶電多少,或者導體是否處于外電場中,必定為等勢體,其內部場強為零,這是靜電屏蔽的理論基礎


              可采用空腔導體(金屬殼、金屬網)來實現靜電屏蔽。電磁屏蔽體的分類根據屏蔽目的的不同,屏蔽體可分為靜電屏蔽體、磁屏蔽體和電磁屏蔽體三種。若空腔導體不接地,則為外屏蔽,即可以屏蔽外電場對于空腔以內的元器件的影響,但不能屏蔽空腔以內的電場對于外界的影響。因為這時如果空腔以內有帶電體,則將在空腔內壁上、以及外表上都感生出等量的異號電荷——感生電荷,這些感生電荷的電場可以對外界產生影響。

              若空腔導體接地,則為全屏蔽,即既可以屏蔽外電場對于空腔以內的元器件的影響,也可以屏蔽空腔以內的電場對于外界的影響。電磁屏蔽的原理是利用屏蔽體對電磁能流的反射、吸收和引導,它與屏蔽結構表面和屏蔽體內部產生的電荷、電流與極化現象密切相關。因為這時空腔以內的電場強度總是為0 ,則即使有電荷存在,使得空腔的內、外面都有感生電荷,但其面的感生電荷通過地線而與大地中和了,相應地內表面的感生電荷及其影響也就消除了。

              把電子儀器的金屬外殼接地,在某些連接導線或者通信電纜的外面包覆一層金屬網(即成為屏蔽線),在電源變壓器的初級繞組和次級繞組之間放置一不閉合的金屬薄片,在高壓變壓器外面加設金屬網等,這些方法都是為了達到靜電屏蔽的目的。












              防止或者減少電磁波侵入空間某些部位的措施。通常的辦法是用金屬網或者金屬殼將產生電磁波的區域與需防止侵入的區域隔開。例如某些儀器或儀表常安裝在金屬箱中,又如高電壓實驗室的墻壁內及室頂中常埋設有金屬的屏蔽網,以防止或減少它所受到的干擾及它對其余區域的干擾。常選擇有較高的電導率和磁導率的導體作為屏蔽物的材料。因為高導電性材料在電磁波的作用下將產生較大的感應電流。這些電流按照楞次定律將削弱電磁波的透入。采用的金屬網孔愈密,直到采用整體的金屬殼,屏蔽的效果愈好,但所費材料愈多。高導磁性的材料可以引導磁力線較多地通過這些材料,而減少被屏蔽區域中的磁力線。電磁波向大塊金屬透入時將不斷衰減,直到衰減為零。衰減的程度隨著材料的電導率、磁導率及電磁波頻率的增加而加大。屏蔽的要求較高時往往采用多層屏蔽。屏蔽一般分為兩種類型:一類是靜電屏蔽,主要用于防治靜電場和恒定磁場的影響,另一類是電磁屏蔽,主要用于防止交變電場、交變磁場以及交變電磁場的影響。例如有時采用鑄鐵、坡莫合金、電解銅3種材料制成多層屏蔽,以滿足導電、導磁等要求。但是實現完全的屏蔽是很難辦到的,因為被屏蔽的區域與其余區域之間往往仍需要有電路的連接,引線與引線、引線與外殼之間總存在著絕緣間隙,仍然為電磁波提供通道。即使對于完全封閉的金屬殼,在頻率極低的外部電磁場作用下,理論上內部的磁通密度并不為零。