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              常州貼片肖特基二極管咨詢客服「強元芯電子」

              發布時間:2021-10-06 22:56  

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              編輯:DD

              ASEMI肖特基二極管參數的研發拓展:

              ASEMI研制的MBR60100PT  MBR60150PT  MBR60200PT,是專門為在輸出12V~24V的SMPS中替代高頻整流FRED而設計的。像額定電流為2×8A的大電流高頻率型SBD,起始電壓比業界居先進水平的200V/2×8AFRED(如STRR162CT)低0.07V(典型值為0.47V),導通電阻RD(125℃)低6.5mΩ(典型值為40mΩ),導通損耗低0.18W(典型值為1.14W)。


              Schottky Barrier Diode:肖特基勢壘二極管,簡稱:SB,比如:SB107,SB1045CT……

                Schottky Barrier Diode:也有簡寫為:SBD來命名產品型號前綴的。但SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原理制作的,而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬-半導體結原理制作的。

                因此,SBD也稱為金屬-半導體(接觸)二極管或表面勢壘二極管,它是一種熱載流子二極管。


              MBR1045CT,其中的"C":表示TO-220封裝;MBR6045PT,其中的"P":表示TO-3P封裝

                元件的封裝形式也在型號的前綴第四位字母中體現,例如:

                MBRD10100CT:第四位的D,表示貼片DPAK封裝

                MBRB10100CT:第四位的B,表示貼片D2PAK封裝

                MBRF10100CT:第四位的F,表示TO-220全塑封

                TO-252,也就是貼片DPAK封裝;TO-263,也就是貼片D2PAK封裝;任何型號的命名都有它的規律性可循。例如:MBR20100CT,型號中就20100是阿拉伯數字,20100中,20是電流,100是電壓。以此類推。

              MURF1060CT 強元芯ASEMI核芯動力 快恢復實力彰顯!

              采用了臺灣健鼎的一體化測試設備,減少人工操作環節,同時檢測Vb、Io、If、Vf、Ir等12個參數經過6道檢測。更是打破業界測試標準,將漏電流有5uA加嚴到2uA以內;正向壓降Vf由1.0V加嚴到0.98V即單顆管芯VF控制在0.49V以內。其采用俄羅斯進口晶圓Mikron米克朗芯片,具有高抗沖擊能力,電性能穩定,可信賴度佳。


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