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黑碳化硅微粉粘渣與哪些因素有關？

      由被測爐渣粘度和溫降關系可以看出，隨溫度下降，粘度不斷增大，當溫降至臨界點時，黑碳化硅微粉粘度變化出現明顯拐點，在該點，爐渣失去流動性，是典型的堿性渣--短渣或不穩(wěn)定性渣，在高溫區(qū)域時，溫度降低粘度只稍有增大，但降至一定溫度粘度突然急劇增大，凝固過程的溫度范圍較窄。堿性渣的結晶性能強，在接近液相線溫度時仍有大量晶體析出，熔渣變成非均相使得粘度迅速增大，掛渣現象增加。

　　精煉方式不同，包渣成分也不相同，在這個多元組分渣體中，凝固生成礦物相形同，這些礦物都具有高熔點，容易析晶凝固，在液態(tài)的渣池中，局部或者大面積溫降等因素變化。達到礦物相析晶臨界點時，瞬間結晶凝固。粘度增大，失去流動性，停留并粘附在包襯上，澆注結束后，鋼包溫降達到，上述粘渣過程進行快，并且溫降時間越長，高熔點礦物相生成越多，粘渣幾率越大。

黑碳化硅中硅的測定

1、檢測辦法：硅的含量需要原子吸收檢測，這種方法檢測，數值較。

2、黑碳化硅檢測需要顆粒分析儀。可以分析顆粒形狀系數 圓度。

3、黑碳化硅徑需要電阻法顆粒分析儀，這樣的話。

4、微粉的主要分析檢測方法：碳化硅中硅的含量決定碳化硅的硬度。碳化硅的粒徑大小對線切割影響很大，但的是碳化硅的顆粒形狀。因為線切割時碳化硅為游離狀態(tài)切割顆粒的形狀變化對切割效率及切割質量要重要影響。

黑碳化硅的制作工藝   

     黑碳化硅（SiC）因其很大的硬度而成為一種重要的磨料，但其應用范圍卻超過一般的磨料。例如，它所具有的耐高溫性、導熱性而成為隧道窯或梭式窯的窯具材料之一，它所具有的導電性使其成為一種重要的電加熱元件等。

　　制備SiC制品首先要制備SiC冶煉塊[或稱：SiC顆粒料，因含有C且超硬，因此SiC顆粒料曾被稱為：金剛砂。但要注意：它與天然金剛砂（也稱：石榴子石）的成分不同。在工業(yè)生產中，SiC冶煉塊通常以石英、石油焦等為原料，輔助回收料、乏料，經過粉磨等工序調配成為配比合理與粒度合適的爐料（為了調節(jié)爐料的透氣性需要加入適量的木屑，制備綠黑碳化硅時還要添加適量）經高溫制備而成。

　　高溫制備SiC冶煉塊的熱工設備是的黑碳化硅電爐，其結構由爐底、內面鑲有電極的端墻、可卸式側墻、爐心體（全稱為：電爐中心的通電發(fā)熱體，一般用石墨粉或石油焦炭按一定的形狀與尺寸安裝在爐料中心，一般為圓形或矩形。其兩端與電極相連）等組成。

　　該電爐所用的燒成方法俗稱：埋粉燒成。它一通電即為加熱開始，爐心體溫度約2500℃，甚至更高（2600～2700℃），爐料達到1450℃時開始合成SiC（但SiC主要是在≥1800℃時形成），且放出co。然而，≥2600℃時SiC會分解，但分解出的si又會與爐料中的C生成SiC。每組電爐配備一組變壓器，但生產時只對單一電爐供電，以便根據電負荷特性調節(jié)電壓來基本上保持恒功率，大功率電爐要加熱約24 h，停電后生成SiC的反應基本結束，再經過一段時間的冷卻就可以拆除側墻，然后逐步取出爐料。

　　制備黑碳化硅主要是通過在高溫條件下冶煉石英、石焦油的方法進行，因此對溫度的需求較高，如果溫度達不到需求就會產生雜質，所以企業(yè)要熟練掌握這一技術。

黑碳化硅氧化的原因

       黑碳化硅材料在普通條件下（如大氣1000℃-2000℃）具有較好的性能，這是由于在高溫條件下，材料表面形成了一層非常薄的、致密的、與基體集合牢固的SiO2膜，氧在SiO2氧化膜中的擴散系數非常小，因此材料的氧化非常緩慢。材料在這種富氧條件下的緩慢氧化稱為惰性氧化。但在某些條件下，如在足夠高的溫度下或較低的氧分壓下，SiC轉化為揮發(fā)性的SiO2保護膜被環(huán)境腐蝕，這將導致材料被快速氧化，即產生活性氧化。而硅材料在使用過程中經常會遇到這種環(huán)境。到目前為止，對材料在高溫、氧化氣氛中，硅材料表面會生成致密的SiO2膜，它的反應為：

　　SiC 3/2O2→ SiO2 CO

　　SiC 2O2 →Sio2 CO2

　　表層SiC到SiO2的轉變導致材料的凈重增加。這是惰性氧化的特性之一。但是研究表明，SiC的早期氧化產物為玻璃臺態(tài)SiO2膜。隨著氧化溫度的升高，約800~1140℃，玻璃態(tài)SiO2膜發(fā)生晶化。相變將產生體積變化，這使得SiO2保護膜結構變得疏松，進而同黑碳化硅基體集合不牢。這樣，其氧化保護作用驟減。另外，當黑碳化硅材料循環(huán)使用時，由于SiO2在500℃以下熱膨脹系數變化較大，而基材的熱膨脹系數變化不大，這樣，保護膜與基材間熱應力變化較大，保護膜易。對于空隙較多的制品，如氮化硅結合材料，會發(fā)生晶界頸部氧化，產生的SiO2導致晶界處體積膨脹，膨脹應力將會導致制品破壞：的惰性氧化會產生氣體產物，這將產泡現象，使SiO2膜的氧化保護作用減小。

　　黑碳化硅出現氧化主要是由于高溫或低氧分壓的狀況下導致其表層被外界侵蝕且發(fā)生反應，所以為了保證其使用效果就需要我們在使用時嚴格把控溫度和環(huán)境等外界因素，從而確保材料的優(yōu)良屬性不會被破壞。