您好，歡迎來到易龍商務網！
發布時間：2020-12-20 09:14
【廣告】
什么是化學氣相沉積？
化學氣相沉積是一種化工技術，該技術主要是利用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質、在襯底表面上進行化學反應生成薄膜的方法。化學氣相淀積是近幾十年發展起來的制備無機材料的新技術。化學氣相淀積法已經廣泛用于提純物質、研制新晶體、淀積各種單晶、多晶或玻璃態無機薄膜材料。這些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物，也可以是III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素間化合物，而且它們的物理功能可以通過氣相摻雜的淀積過程準確控制。化學氣相淀積已成為無機合成化學的一個新領域。期望大家在選購化學氣相沉積時多一份細心，少一份浮躁，不要錯過細節疑問。
以上就是為大家介紹的全部內容，希望對大家有所幫助。如果您想要了解更多化學氣相沉積的知識，歡迎撥打圖片上的熱線聯系我們。
化學氣相沉積過程介紹
化學氣相沉積過程分為三個重要階段：反應氣體向基體表面擴散、反應氣體吸附于基體表面、在基體表面上發生化學反應形成固態沉積物及產生的氣相副產物脫離基體表面。常見的化學氣相沉積反應有:熱分解反應、化學合成反應和化學傳輸反應等。通常沉積TiC或TiN，是向850~1100℃的反應室通入TiCl4，H2，CH4等氣體，經化學反應，在基體表面形成覆層。這些粒子和基團（這里把化學上是活性的中性原子和分子物都稱之為基團）在漂移和擴散的過程中，由于平均自由程很短，所以都會發生離子-分子反應和基團-分子反應等過程。
沈陽鵬程真空技術有限責任公司以誠信為首 ,服務至上為宗旨。公司生產、銷售化學氣相沉積,公司擁有強大的銷售團隊和經營理念。想要了解更多信息，趕快撥打圖片上的熱線電話！
化學氣相沉積的特點
化學氣相沉積法之所以得到發展，是和它本身的特點分不開的，其特點如下。
I) 沉積物種類多: 可以沉積金屬薄膜、非金屬薄膜，也可以按要求制備多組分合金的薄膜，以及陶瓷或化合物層。
2) CVD反應在常壓或低真空進行，鍍膜的繞射性好，對于形狀復雜的表面或工件的深孔、細孔都能均勻鍍覆。
3) 能得到純度高、致密性好、殘余應力小、結晶良好的薄膜鍍層。由于反應氣體、反應產物和基體的相互擴散，可以得到附著力好的膜層，這對表面鈍化、抗蝕及耐磨等表面增強膜是很重要的。
4) 由于薄膜生長的溫度比膜材料的熔點低得多，由此可以得到純度高、結晶完全的膜層，這是有些半導體膜層所必須的。
5) 利用調節沉積的參數，可以有效地控制覆層的化學成分、形貌、晶體結構和晶粒度等。
6) 設備簡單、操作維修方便。
7) 反應溫度太高，一般要850~ 1100℃下進行，許多基體材料都耐受不住CVD的高溫。采用等離子或激光輔助技術可以降低沉積溫度。
如需了解更多化學氣相沉積的相關信息，歡迎關注沈陽鵬程真空技術有限責任公司網站或撥打圖片上的熱點電話，我司會為您提供專業、周到的服務。
化學氣相沉積產品概述
沈陽鵬程真空技術有限責任公司——專業生產、銷售化學氣相沉積，我們公司堅持用戶為上帝，想用戶之所想，急用戶之所急，以誠為本，講求信譽，以產品求發展，以質量求生存，我們熱誠地歡迎各位同仁合作共創輝煌。
1、適用范圍：適合于各單位實驗室、高等院校實驗室、教學等的項目科研、產品中試之用。
2、產品優點及特點：應用于半導體薄膜、硬質涂層等薄膜制備，兼等離子體清洗、等離子體刻蝕。
3、主要用途：主要用來制作SiO2、Si3N4、非晶Si：H、多晶Si、SiC、W、Ti-Si、GaAs、GaSb等介電、半導體及金屬膜。
