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硅化可在普通大氣壓的碳管爐內進行，硅化溫度必須大于2000℃。如果在66.65MPa的真空爐中進行，則硅化溫度可降到1500~1600℃。產生硅蒸氣所用的硅粉顆粒尺寸為0.991~4.699mm。在大氣壓力下硅化時，硅粉可裝在石墨坩堝里。在真空下硅化時，則應裝在氮化硼(BN)坩堝里，因為此時硅會滲入石墨中并作用形成碳化硅而使石墨坩堝，而氮化硼與硅不潤濕。硅化所需的時間依據硅化的溫度及在該溫度下的硅的揮發量的不同而變化。在硅化完成后，坩堝內通常不應該再有硅殘留而都蒸發了。由于蒸發而附著在制品表面上的硅可用熱的處理除去。自結合碳化硅制品的強度為一般碳化硅制品的7~10倍，且能力提高了。

除了用燒結法制造碳化硅制品以外，自從發明了熱壓燒結技術以后，碳化硅制品也可以用熱壓法制造，并且可以獲得更優良的燒結性能。熱壓工藝是把坯料的成型和燒成結合為一個過程，即坯料在高溫同時又在壓力下一次成型并燒結。這種方法在冶金工業中用于粉末冶金已有數十年的歷史，在特種耐火材料工業生產中已經逐步推廣應用。采用熱壓成型燒結，可以縮短制造時間，降結溫度，改善制品的顯微結構，增加制品的致密度，提高材料的性能。選擇適當的溫度、壓力和坯料粒度等熱壓工藝條件，就可達到優良的熱壓效果。熱壓工藝對難熔化合物的制造特別有用。熱壓用的模具因為既要經受1000℃以上的高溫，并且還要在高溫下承受數kN的壓力，因此，對制造難熔化合物制品一般均用高強度石墨作模具。

討論

通過試驗可得，碳化硅涂層越薄，吸波能力越低；涂層中所含碳化硅含量越低，吸波能力越低。當涂層厚度與碳化硅含量達到標準時，涂層可承受 250℃高溫。在 150℃環境中，厚度為 1mm 的碳化硅涂層吸收強度保持在 20dB 左右。

通過對比分析可知，碳化硅涂層的適吸波能力為1mm，碳化硅涂層的多波段吸收可以跨越不同厚度的涂層。隨著碳化硅涂層厚度的減小，涂層吸收峰的峰位逐漸轉為高頻。

在一定范圍內，吸收峰的峰位變化與碳化硅含量成正比，碳化硅含量增加，則吸收峰峰位向高頻移動。相反，涂層厚度與吸收峰的峰位成反比，厚度增加，則吸收峰峰位移向低頻段。當涂層厚度 1mm 時，碳化硅涂層的吸波性能佳。