湖南鋁酸鑭(LaAlO3)晶體襯底-價格優惠「合肥合瑞達」

 顏色及外觀：依退火狀況而不同，由棕黃色到褐色，拋光基片有自然孿晶疇；化學穩定性：室溫下不溶于礦物酸，溫度大于150℃時可溶于H3PO4。鋁酸鑭有望代替二氧化硅，用來作為金屬氧化物半導體場效應管器件新的柵介質，使半導體工業在器件尺寸縮小到納米及以下時，繼續遵從“摩爾定律”。鋁酸鑭（LaAlO3）單晶的應用,取決于大尺寸鋁酸鑭（LaAlO3）晶體生長。

 鋁酸鑭晶體當升溫時在560±10℃有一從三角相到立方相的相變,相變為連續的轉變較快的區域在500-560℃之間,降溫時為可逆的,且無明顯的熱滯,并用g射線衍射法證實570℃為立方相,室溫為三角相。鋁酸鑭的制備方法主要有：燃燒合成法、共沉淀法、均勻沉淀法、溶膠凝膠法、醇鹽水解法和液相混合法。鑭、鋁的源材料一般為金屬氧化物、無機鹽或醇鹽。鋁酸鑭屬于鈣鈦礦結構的ＡＢＯ３化合物，具有介電常數小，介電損耗低，晶格匹配好，熱膨脹系數小，化學穩定性好，能隙寬，比表面積大。

鋁酸鑭（LaAlO3）晶體有較低的介電損耗,與ZrO2、 SrTio3、藍寶石等襯底材料相比,綜合性能更為理想。 鋁酸鑭有一定的活性，熱穩定性好，被廣泛的應用于催化材料，襯底材料，高溫超導薄膜基片，合成微波介質陶瓷材料，高溫燃料電池，微波介電諧振器等方面。在硅基上生長鋁酸鑭薄膜，是當今國內外研究的熱點一。用基于原子層控制異質外延技術，在硅基上實現了無界面層外延生長，制備出高介電常數的鋁酸鑭薄膜，降低了超薄高介電常數薄膜漏電流，解決了下一代場效應器件的關鍵技術之一。