NR9 8000光刻膠價格近期行情【賽米萊德】

正負光刻膠

正負光刻膠

光刻膠分負性膠和正性膠兩類。光照后形成不可溶物質的是負性膠；反之，對某些溶劑是不可溶的，經光照后變成可溶物質的即為正性膠。正膠的圖像與掩模板的圖像是一致的，故此叫正膠，利用這種性能，將光刻膠作涂層，就能在硅片表面刻蝕所需的電路圖形。

一般來說線寬的用正膠,線窄的用負膠! 正性光刻膠比負性的精度要高，負膠顯影后圖形有漲縮，負性膠限制在2~3μm.，而正性膠的分辨力優于0.5μm 導致影響精度，正性膠則無這方面的影響。在工藝發展的早期，負膠一直在光刻工藝中占主導地位，隨著VLSIIC和2～5微米圖形尺寸的出現，負膠已不能滿足要求。雖然使用更薄的膠層厚度可以改善負性膠的分辨率，但是薄負性膠會影響孔。同種厚度的正負膠，在對于抗濕法和腐蝕性方面負膠更勝一籌，正膠難以企及。賽米萊德提供美國Futurrex的光刻膠的供應與技術參數。

光刻膠市場

據統計資料顯示，2017年中國光刻膠行業產量達到7.56萬噸，較2016年增加0.29萬噸，其中，中國本土光刻膠產量為4.41萬噸，與7.99萬噸的需求量差異較大，說明我國供給能力還需提升。

國內企業的光刻膠產品目前還主要用于PCB領域，代表企業有晶瑞股份、科華微電子。

在半導體應用領域，隨著汽車電子、物聯網等發展，會在一定程度上增加對G線、I線的需求，利好G線、I線等生產企業。常規光刻膠涂布工序的優化需要考慮滴膠速度、滴膠量、轉速、環境溫度和濕度等，這些因素的穩定性很重要。預計G線正膠今后將占據50%以上市場份額，I線正膠將占據40%左右的市場份額，DUV等其他光刻膠約占10%市場份額，給予北京科華、蘇州瑞紅等國內公司及美國futurrex的光刻膠較大市場機會。

光刻膠的重要性

在北京化工大學理學院院長聶俊眼里，我國雖然已成為世界半導體生產大國，但面板產業整體產業鏈仍較為落后。光刻工藝重要性二光刻膠的曝光波長由寬譜紫外向g線→i線→KrF→ArF→EUV(13。目前，上游電子化學品（LCD用光刻膠）幾乎全部依賴進口，必須加快面板產業關鍵核心材料基礎研究與產業化進程，才能支撐我國微電子產業未來發展及國際“地位”的確立。

“假如我們把光刻機比作一把菜刀，那么光刻膠就好比是要切割的菜，沒有高質量的菜，即使有了鋒利的菜刀，也無法做出一道佳肴。”日前，江蘇博硯電子科技有限公司技術部章宇軒在接受科技日報記者采訪時說。

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二、預烘和底膠涂覆（Pre-bake and Primer Vapor）

由于光刻膠中含有溶劑，所以對于涂好光刻膠的硅片需要在80度左右的。硅片脫水烘焙能去除圓片表面的潮氣、增強光刻膠與表面的黏附性、通常大約100 °C。這是與底膠涂覆合并進行的。

底膠涂覆增強光刻膠(PR)和圓片表面的黏附性。廣泛使用: (HMDS)、在PR旋轉涂覆前HMDS蒸氣涂覆、PR涂覆前用冷卻板冷卻圓片。