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發(fā)布時間：2021-07-26 06:37
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高導電性涂層材料
用作涂層材料的高導電性Clevios?可將表面電阻降至 100 歐姆/平方。一般來講，聚合物屬絕緣體。同時為了減少背電極和硅之間的載流子復合，在它們之間引入了碳酸銫（Cs2CO3）鈍化層。但是，有一類特殊聚合物，也即本征導電性聚合物，其導電性介于半導體和金屬之間（從10 - -4 到103 S/cm）。兼具金屬與聚合物的特性，給眾多應用領域帶來嶄新的發(fā)展機會，這在電子工業(yè)領域尤為明顯。
Clevios? PH 1000或其即用型配方Clevios? FE-T可用作高導電性涂層。這些材料不僅導電率高，而且具有非同一般的透明度。
結合諸如 DMSO 或乙二醇等導電增強劑使用Clevios?PH 1000時，導電率可達到 900-1000 S/cm（約 200 歐姆/平方）。即用型配方 CLEVIOS? FE-T材料屬于水基物質，含有可用于強制干燥的聚酯分散體。
各種涂層配方均在不同濕膜厚度和表面電阻率的條件下，針對諸如 A-PET、PET、聚碳酸酯、玻璃等具體基材經過優(yōu)化處理。
可采用標準印刷方法，如狹縫涂布法、柔版印刷、絲網或者凹版印刷制作涂層。也可采用刷涂、噴涂、旋涂或輥涂法。
不同PEDOT核殼分散體的制備總結
聚3,4-乙撐二氧s吩（PEDOT）由于其高導電性、低能隙、優(yōu)異的薄膜透明性以及環(huán)境穩(wěn)定性在抗靜電涂層、光電子器件、電容器、電磁屏蔽、傳感器、金屬防腐等領域具有廣闊的應用前景，然而其不溶問題限制了其應用。除了在單體水相聚合時加入聚by烯磺酸（PSS）制備PEDOT分散體外，許多研究者也開始探索其他方法，如制備PEDOT與其他物質的核殼分散體。PSS在ITO基片上旋涂作為空穴傳輸層,并且在旋涂PEDOT∶PSS的過程中在與ITO玻璃平面垂直的方向施加一個誘導聚合物取向的高壓電場,試驗著重研究了所加電場強度對雙層器件:ITO/PEDOT∶PSS/MEH-PPV/Al器件性能的影響。本文將對主要幾種PEDOT核殼分散體的制備進行總結。
針對PEDOT:PSS薄膜導電性不高和載流子遷移率低等問題，通過將還原氧化石墨烯(rGO)引入到PEDOT:PSS薄膜中，實現了導電性提高和電池材料光吸收增強，并且通過電池結構的設計，終實現了電池轉換效率30%的提升，使得電池轉換效率達到12%。與強氧化性和強溶解性的H2SO4和HNO3處理不同，無強氧化性和無強溶解性的甲磺酸不會氧化破壞塑料襯底的柔性，從而保護了塑料襯底。（Xinyu Jiang, Shanglong Peng*,et al.Appl. Sur. Sci., 2017, 407, 398-404.）
原位聚合法不需要特殊設備、操作簡單、膜厚可控、可涂布于各種形狀的表面，尤其對找不到合適溶液的導電聚合物和某些特殊表面具有優(yōu)勢，且聚合方式種類多樣，合成PEDOT薄膜的全過程中可通過摻雜改變聚合物結構，獲得的聚合物電導率高、應用前景廣闊，是制備PEDOT薄膜對電極新的趨勢。 與以往傳統的和碳對電極相比，PEDOT具有高電導率、透明性以及柔性等優(yōu)點。在這些復合使用的材料中，導電高分子PEDOT/PSS由于具有與絕大多數有機物匹配的功函數，以及良好的導電性和光透過率，且可以采用溶液法/印刷工藝制程。三種薄膜制備方法各有優(yōu)缺點，促進了PEDOT薄膜對電極的發(fā)展，也使得DSSC取得了巨大的進步。
