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發布時間：2021-09-23 21:48
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支架安裝圖圖
3.3集水坑及排水處理
工藝標準
（1） 底板散水坡度應統一指向集水坑，散水坡度宜取0.5%左右。
（2） 集水坑尺寸應能滿足排水泵放置要求。
（3） 坑頂宜設置保護蓋板，蓋板上設置泄水孔。
（4） 集水坑應根據電纜溝（電纜隧道）的平面尺寸及外形合理設置。
設計要點
（1）排水可采用機械排水和自然排水，集水坑尺寸應滿足排水方式的要求，并在圖紙中標注。
（2）集水坑位于井室人孔正下方。
（3）集水坑上應設置井篦子。
施工要點
（1）排水溝及集水坑應與側壁保持足夠距離，不影響基坑施工。
（2）地坪施工時做好結構泛水，保證表面散水暢通。
監理要點
（1）在有地下水排出的隧道，必須挖鑿排水溝，當下坡開挖時應根據涌水量的大小，設置大于20％涌水量的抽水機具排出。抽水機械的安裝地點在導坑的一側或另開偏洞安裝，并用柵欄與隧道隔離；在電纜終端頭、電纜接頭、拐彎處、夾層內、隧道及豎井的兩端、人井內等地方，電纜上應裝設標志牌，標志牌填寫應齊全清晰。抽水設備宜采用電力機械，不得在隧道內使用內燃抽水機，抽水機械應有一定的備用臺數。
（2）隧道開挖中預計要穿過涌水地層時，宜采用超前鉆孔探水，查清含水層厚度、巖性、水量、水壓等，為防涌水提供依據；如發現工作面有大量涌水時，要立即令工人停止作業，迅速撤離到安全地點。
導體屏蔽與絕緣屏蔽應采用超光滑可交聯型半導電材料，并符合CSBTS/TC213-01中表3的規定。
a.導體屏蔽應由半導電包帶和擠出半導電層組成；
擠出半導電層應均勻地包覆在半導電包帶外，并牢固地粘在絕緣層上。在與絕緣層的交界面上應光滑，無明顯絞線凸絞、尖角、顆粒、燒焦或擦傷痕跡。
b.絕緣屏蔽為擠出半導電層。絕緣屏蔽應均勻地包覆在絕緣表面。在絕緣屏蔽的表面以及與絕緣層的交界面上應光滑，無尖角、顆粒、燒焦或擦傷痕跡。 5.4 絕緣
絕緣材料應采用超凈化交聯聚乙烯料，并符合CSBTS/TC213-01中表3的規定。 絕緣層的標稱厚度應符合CSBTS/TC213-01中表5的規定。電纜敷設后覆土前通知測繪人員對已敷電纜進行測繪電纜與其它管道、道路、建筑物等之間平行和交叉時的蕞小凈距，應符合設計要求或規程規定。 a.絕緣蕞薄點厚度應不小于標稱厚度的90%，tmin≥0.09tn. b.絕緣偏心度不大于8%，即：
?0max
min
max???ttt
tn-絕緣層的標稱厚度；tmax和tmin分別為蕞大、蕞小絕緣厚度。
（注：蕞大絕緣厚度和蕞小絕緣厚度為同一截面上的測量值。導體屏蔽和絕緣屏蔽的厚度應不計入絕緣厚度之內。）
c.絕緣平料含有雜質和電纜絕緣層含有雜質、微孔以及半導電層與絕緣界面突起與微孔的限制應參照CSBTS/TC 213-01的規定。
d.絕緣完成后應進行去氣。 5.5 金屬屏蔽與金屬套
可用銅絲編織帶、銅帶或金屬套屏蔽。 金屬套可選用鉛套、波紋鋁套等。
a. 鉛套用鉛銻銅合金成分應符合JB5268.2的規定，應含0.4%～0.8%的銻和0.02%～0.06%的銅，可采用性能相同或更好的其它鉛合金。
b. 波紋鋁套應參照CSDTS/TC 213-01的規定，所用鋁的純度應不低于99.6%。
c. 鉛套和波紋鋁套的標稱厚度應參照CSBTS/TC213-01表6的規定。如該厚度不能滿足短路容量的要求，則應采用增加金屬套的厚度或在金屬套下面增加疏繞銅絲，并在疏繞銅絲外用反向繞包的銅絲或銅帶扎緊等措施。
結構: 預制全干式六氟化硫電纜開關終端.
可先將絕緣筒裝在GIS開關上.
適用電纜: PE, XLPE和 EPR絕緣,擠出外屏蔽層, 銅絲金屬屏蔽/鉛護套/鋁護套電纜
基本設計: -全干式IEC 60859
-環氧樹脂絕緣筒, 標準長度
-與環氧絕緣筒緊密配合的硅橡膠應力錐
-與導體插頭式或插座式連接
-應力錐壓力環和頂推裝置保證足夠壓力
-支撐套筒和電纜夾提供機械保護
產品特點: -完善的質量保證體系,確保每個產品出廠之質量
-根據電纜尺寸度身定作應力錐保證長期運行可靠性
-完備的專用工具選擇,
保證安裝效率
技術規范:
系統電壓 (Um) (kV) 123 145 170 長度
(mm): 757 757 757
重量 (kg): 60 60 60
