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發布時間:2021-09-02 16:02  
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微流控芯片硅片模具加工如何選擇光刻膠呢?
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一般來說線寬的用正膠,線窄的用負膠,正性光刻膠比負性的精度要高,負膠顯影后圖形有漲縮,負性膠限制在2~3μm.,而正性膠的分辨力優于0.5μm 導致影響精度,正性膠則無這方面的影響。雖然使用更薄的膠層厚度可以改善負性膠的分辨率,但是薄負性膠會影響。同種厚度的正負膠,在對于抗濕法和腐蝕性方面負膠更勝一籌,正膠難以企及。
光刻膠:半導體技術壁壘的材料之一
光刻是整個集成電路制造過程中耗時長、難度大的工藝,耗時占IC制造50%左右,成本約占IC生產成本的1/3。光刻膠是光刻過程重要的耗材,光刻膠的質量對光刻工藝有著重要影響。
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光刻膠的性能
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光刻膠產品種類多、專用性強,是典型的技術密集型行業。不同用途的光刻膠曝光光源、反應機理、制造工藝、成膜特性、加工圖形線路的精度等性能要求不同,導致對于材料的感光性能、溶解性、耐蝕刻性、耐熱性等要求不同。因此每一類光刻膠使用的原料在化學結構、性能上都比較特殊,要求使用不同品質等級的光刻膠專用化學品。