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發布時間：2020-07-17 08:51
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光刻膠按用途分類
光刻膠經過幾十年不斷的發展和進步,應用領域不斷擴大,衍生出非常多的種類,按照應用領域,光刻膠可以劃分為印刷電路板(PCB)用光刻膠、液晶顯示(LCD)用光刻膠、半導體用光刻膠和其他用途光刻膠。其中,PCB 光刻膠技術壁壘相對其他兩類較低,而半導體光刻膠代表著光刻膠技術水平。
(1)半導體用光刻膠
在半導體用光刻膠領域,光刻技術經歷了紫外全譜(300～450nm)、G 線(436nm)、I 線 (365nm)、深紫外(DUV,包括 248nm 和 193nm)和極紫外(EUV)六個階段。相對應于各曝光波長的光刻膠也應運而生,光刻膠中的關鍵配方成份,如成膜樹脂、光引發劑、添加劑也隨之發生變化,使光刻膠的綜合性能更好地滿足工藝要求。
(2)LCD光刻膠
在LCD 面板制造領域,光刻膠也是極其關鍵的材料。根據使用對象的不同,可分為 RGB 膠(彩色膠)、BM膠(黑色膠)、OC 膠、PS 膠、TFT 膠等。
光刻工藝包含表面準備、涂覆光刻膠、前烘、對準曝光、顯影、堅膜、顯影檢查、刻蝕、剝離、終檢查等步驟,以實現圖形的轉移,制造特定的微結構。
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光刻膠：半導體技術壁壘的材料之一
光刻是整個集成電路制造過程中耗時長、難度大的工藝，耗時占IC制造50%左右，成本約占IC生產成本的1/3。光刻膠是光刻過程重要的耗材，光刻膠的質量對光刻工藝有著重要影響。
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光刻膠的核心參數是什么？
分辨率、對比度和敏感度是光刻膠的核心技術參數。隨著集成電路的發展，芯片制造特征尺寸越來越小，對光刻膠的要求也越來越高。光刻膠的核心技術參數包括分辨率、對比度和敏感度等。為了滿足集成電路發展的需要，光刻膠朝著高分辨率、高對比度以及高敏感度等方向發展。
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