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              便攜式IGBT測試儀現貨供應品質售后無憂「華科智源」

              發布時間:2021-04-09 08:57  

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              IGBT測試裝置技術要求 (1)設備功能 IGBT模塊檢測裝置是用于IGBT的靜態參數測試。系統的測試原理符合相應的國家標準,系統為獨立式單元,封閉式結構,具有升級擴展潛能。 IGBT模塊檢測裝置是用于IGBT的靜態參數測試,在IGBT的檢測中,采用大電流脈沖對IGBT進行VCE飽和壓降及續流二極管壓降的檢測。優勢行業:電力設備、地鐵、鐵路動力車組和運用大功率半導體器件進行設計、制造的行業。為提供穩定的大電流脈沖,采用了支撐電容補償及步進充電的方法,解決IGBT進行VCE飽和壓降及續流二極管壓降的檢測問題。


              (2)主要技術參數 1)基本參數 功率源: 5000V 1200A 2)柵極-發射極漏電流IGES IGES: 0.1-10uA±2%±0.01uA 集電極電壓VCE: 0V 柵極電壓Vge: 0-40V±3%±0.1V 3)集電極-發射極電壓 集電極電壓VCES: 100-5000V±2%±10V 集電極電流ICES: 0.1-5mA±3%±0.01mA 柵極電壓Vge: 0V 4)集電極-發射極飽和電壓VCESat VCESat:0.2-5V 柵極電壓Vge: ±15V±2%±0.2V 集電極電流ICE: 10-1200A±2%±1A 5)集電極-發射極截止電流ICES 集電極電壓VCE: 100-5000V±3% 集電極電流ICES: 0.1-5mA±3%±0.01mA 柵極電壓VGE: 0V 6)柵極-發射極閾值電壓 VGEth: 1-10V±2%±0.1V Vce: 12V 集電極電流ICE: 30mA±3% 7)二極管壓降測試 VF: 0-5V±2%±0.01V IF: 0-1200A±2%±1A Vge: 0V


              關斷時間測試參數: 1、關斷時間toff:5~2000ns±3%±3ns 2、關斷延遲時間td(off):5~2000ns±3%±3ns 3、下降時間tf:5~2000ns±3%±3ns 4、關斷能量:0.2~1mJ±5%±0.01mJ 1~50mJ±5%±0.1mJ 50~100mJ±5%±1mJ 100~500mJ±5%±2mJ 5、關斷耗散功率Pon:10W~250kW 關斷時間測試條件: 1、集電極電壓Vce:50~100V±3%±1V 100~500V±3%±5V 500V~1000V±3%±10V 2、集電極電流Ic:50~100A±3%±1A; 100~500A±3%±2A; 500~1000A±3%±5A;


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