磁控濺射儀價格在線咨詢,沈陽鵬程

磁控濺射的種類介紹

磁控濺射包括很多種類。各有不同工作原理和應用對象。但有一共同點：利用磁場與電場交互作用，使電子在靶表面附近成螺旋狀運行，從而增大電子撞擊氣產生離子的概率。所產生的離子在電場作用下撞向靶面從而濺射出靶材。

靶源分平衡式和非平衡式，平衡式靶源鍍膜均勻，非平衡式靶源鍍膜膜層和基體結合力強。真空泵和測量裝置：低真空：干泵和convectron真空規高真空：渦輪分子泵，低溫泵和離子規5。平衡靶源多用于半導體光學膜，非平衡多用于磨損裝飾膜。磁控陰極按照磁場位形分布不同，大致可分為平衡態磁控陰極和非平衡態磁控陰極。平衡態磁控陰極內外磁鋼的磁通量大致相等，兩極磁力線閉合于靶面，很好地將電子/等離子體約束在靶面附近，增加了碰撞幾率，提高了離化效率，因而在較低的工作氣壓和電壓下就能起輝并維持輝光放電，靶材利用率相對較高。

但由于電子沿磁力線運動主要閉合于靶面，基片區域所受離子轟擊較小。故對于絕緣靶材或導電性很差的非金屬靶材，須用射頻濺射法（RF）。非平衡磁控濺射技術，即讓磁控陰極外磁極磁通大于內磁極，兩極磁力線在靶面不完全閉合，部分磁力線可沿靶的邊緣延伸到基片區域，從而部分電子可以沿著磁力線擴展到基片，增加基片磁控濺射區域的等離子體密度和氣體電離率。不管平衡還是非平衡，若磁鐵靜止，其磁場特性決定了一般靶材利用率小于30%。為增大靶材利用率，可采用旋轉磁場。但旋轉磁場需要旋轉機構，同時濺射速率要減小。旋轉磁場多用于大型或貴重靶，如半導體膜濺射。對于小型設備和一般工業設備，多用磁場靜止靶源。

如需了解更多磁控濺射產品的相關內容，歡迎撥打圖片上的熱線電話！

磁控濺射——濺射技術介紹

直流濺射法：直流濺射法要求靶材能夠將從離子轟擊過程中得到的正電荷傳遞給與其緊密接觸的陰極，從而該方法只能濺射導體材料，不適于絕緣材料。磁控濺射原理：電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與原子發生碰撞，電離出大量的離子和電子，電子飛向基片。因為轟擊絕緣靶材時，表面的離子電荷無法中和，這將導致靶面電位升高，外加電壓幾乎都加在靶上，兩極間的離子加速與電離的機會將變小，甚至不能電離，導致不能連續放電甚至放電停止，濺射停止。故對于絕緣靶材或導電性很差的非金屬靶材，須用射頻濺射法（RF）。

濺射過程中涉及到復雜的散射過程和多種能量傳遞過程：入射粒子與靶材原子發生彈性碰撞，入射粒子的一部分動能會傳給靶材原子；某些靶材原子的動能超過由其周圍存在的其它原子所形成的勢壘（對于金屬是5-10 eV），從而從晶格點陣中被碰撞出來，產生離位原子；這些離位原子進一步和附近的原子依次反復碰撞，產生碰撞級聯；當這種碰撞級聯到達靶材表面時，如果靠近靶材表面的原子的動能大于表面結合能（對于金屬是1-6eV），這些原子就會從靶材表面脫離從而進入真空。光纖磁控濺射鍍膜機組成以下內容由沈陽鵬程真空技術有限責任公司為您提供，希望對同行業的朋友有所幫助。

如需了解更多磁控濺射產品的相關信息，歡迎關注沈陽鵬程真空技術有限責任公司網站或撥打圖片上的熱點電話，我司會為您提供專業、周到的服務。

磁控濺射介紹

沈陽鵬程真空技術有限責任公司——專業生產、銷售磁控濺射產品，我們公司堅持用戶為上帝，想用戶之所想，急用戶之所急，以誠為本，講求信譽，以產品求發展，以質量求生存，我們熱誠地歡迎各位同仁合作共創輝煌。

由于被濺射原子是與具有數十電子伏特能量的正離子交換動能后飛濺出來的，因而濺射出來的原子能量高，有利于提高沉積時原子的擴散能力，提高沉積組織的致密程度，使制出的薄膜與基片具有強的附著力。

濺射時，氣體被電離之后，氣體離子在電場作用下飛向接陰極的靶材，電子則飛向接地的壁腔和基片。以上就是關于磁控濺射產品的相關內容介紹，如有需求，歡迎撥打圖片上的熱線電話。這樣在低電壓和低氣壓下，產生的離子數目少，靶材濺射效率低；而在高電壓和高氣壓下，盡管可以產生較多的離子，但飛向基片的電子攜帶的能量高，容易使基片發熱甚至發生二次濺射，影響制膜質量。另外，靶材原子在飛向基片的過程中與氣體分子的碰撞幾率也大為增加，因而被散射到整個腔體，既會造成靶材浪費，又會在制備多層膜時造成各層的污染。

濺射鍍膜的特點

濺射就是從靶表面撞擊出原子物質的過程。濺射產生的原子或分子沉積到基體(零件)表面的過程就是濺射鍍膜。

濺射鍍膜與真空鍍膜相比,有如下特點:

1.任何物質都可以濺射, 尤其是高熔點金屬、低蒸氣壓元素和化合物;

2.濺射薄膜與襯底的附著性好;

3.濺射鍍膜的密度高,孔少,膜層純度高;

4.膜層厚度可控性和重復性好。

以上就是為大家介紹的全部內容，希望對大家有所幫助。如果您想要了解更多磁控濺射產品的知識，歡迎撥打圖片上的熱線聯系我們。