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磁控濺射鍍膜設備及技術

（專利技術）該設備選用磁控濺射鍍一層薄薄的膜（MSP）技術性，是這種智能、率的鍍膜設備。可依據客戶規定配備轉動磁控靶、單脈沖濺射靶、中頻孿生濺射靶、非均衡磁控濺射靶、霍耳等離子技術源、考夫曼離子源、直流電單脈沖累加式偏壓開關電源等，組態靈便、主要用途普遍，主要用于金屬材料或非金屬材料（塑膠、夾層玻璃、瓷器等）的鋼件鍍鋁、銅、鉻、鈦金板、銀及不銹鋼板等陶瓷膜或式陶瓷膜及滲金屬材料DLC膜，所鍍一層薄薄的膜層勻稱、高密度、粘合力強等特性，可普遍用以電器產品、時鐘、陶瓷藝術品、小玩具、大燈反光罩及其儀表設備等表層裝飾藝術鍍一層薄薄的膜及工磨具的作用鍍層。2離子轟擊滲擴技術性的特性(1)離子轟擊滲擴更快因為選用低溫等離子無心插柳，為滲劑分子和正離子的吸咐和滲人造就了高寬比活性的表層，提升了結晶中缺點的相對密度，比傳統式的汽體滲擴技術性速率明顯增強。在一樣加工工藝標準下，滲層深度1在0.05二以內，比汽體滲擴提升1倍。在較高溫度下，1h就能達lmm厚。這一狀況是格洛夫（Grove）于1842年在試驗科學研究陰極浸蝕難題時，陰極原材料被轉移到真空管內壁而發覺的。(2)對鋼件表層改..

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磁控濺射鍍膜機

目前認為濺射現象是彈性碰撞的直接結果，濺射完全是動能的交換過程。當正離子轟擊陰極靶，入射離子當初撞擊靶表面上的原子時，產生彈性碰撞，它直接將其動能傳遞給靶表面上的某個原子或分子，該表面原子獲得動能再向靶內部原子傳遞，經過一系列的級聯碰撞過程，當其中某一個原子或分子獲得指向靶表面外的動量，并且具有了克服表面勢壘(結合能)的能量，它就可以脫離附近其它原子或分子的束縛，逸出靶面而成為濺射原子。運用直流電反應濺射堆積高密度、無缺點絕緣層塑料薄膜特別是在是瓷器塑料薄膜基本上難以達到,緣故取決于堆積速率低、靶材非常容易出現電弧放電并造成構造、構成及特性產生更改。

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磁控濺射

（1）各種功能性薄膜：如具有吸收、透射、反射、折射、偏光等作用的薄膜。例如，低溫沉積氮化硅減反射膜，以提高太陽能電池的光電轉換效率。

（2）裝飾領域的應用，如各種全反射膜及半透明膜等，如手機外殼，鼠標等。

（3） 在微電子領域作為一種非熱式鍍膜技術，主要應用在化學氣相沉積（CVD）或金屬有機

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