廣東微處理器壓控振蕩器廠家誠信企業「晶宇興」

LC壓控型壓控振蕩器

在任何一種LC振蕩器中，將壓控可變電抗元件插入振蕩回路就可形成LC壓控振蕩器。早期的壓控可變電抗元件是電抗管，后來大都使用變容二極管。圖 2是克拉潑型LC壓控振蕩器的原理電路。圖中，T為晶體管，L為回路電感，C1、C2、Cv為回路電容,Cv為變容二極管反向偏置時呈現出的容量;C1、C2通常比Cv大得多。當輸入控制電壓uc改變時，Cv隨之變化，因而改變振蕩頻率。這種壓控振蕩器的輸出頻率與輸入控制電壓之間的關系為VCO輸出頻率與控制電壓關系式中C0是零反向偏壓時變容二極管的電容量；φ 是變容二極管的結電壓；γ 是結電容變化指數。為了得到線性控制特性，可以采取各種補償措施。

壓控振蕩器的性能參數

VCO的關鍵性能參數是調諧電壓、頻率范圍、本底噪聲、相位噪聲、輸出功率、諧波和負載阻抗。其次要性能參數包括電源電壓、電源電流、調諧靈敏度、推頻、牽引、調諧端口電容和機械事項。調諧靈敏度用于說明調諧電壓（MHz/V）變化引起的輸出頻率變化。值得注意的是輸出功率和諧波功率與輸入直流功率和調諧電壓之間存在關系，但是不一定存在線性關系。

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晶體諧振器的主要技術指標介紹

標稱頻率：振蕩器輸出的中心頻率或頻率的

頻率準確度：振蕩器輸出頻率在室溫(25℃±2℃)下相對于標稱頻率的偏差。

調整頻差：在特定溫度范圍內振蕩器輸出頻率相對于25℃時測量值的較大允許頻率偏差。

負載諧振頻率（fL）：在規定條件下，晶體與一負載電容相串聯或相并聯,其組合阻抗呈現為電阻性時（產生諧振）的兩個頻率中的一個頻率。在串聯負載電容時，負載諧振頻率是兩個頻率中較低的一個，在并聯負載電容時，則是兩個頻率中較高的一個。

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