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發(fā)布時(shí)間：2021-06-19 02:35
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如何執(zhí)行導(dǎo)通參數(shù)與漏電流的量測(cè)？
?測(cè)試條件中待輸入的數(shù)字，必須依照元件生產(chǎn)廠所提供的規(guī)格來輸入，而測(cè)量結(jié)果，亦必須在其所規(guī)定的限額內(nèi)，否則，便為不良品。
大功率I g b t模塊測(cè)試系統(tǒng)簡(jiǎn)介
我公司所設(shè)計(jì)生產(chǎn)的半導(dǎo)體元件自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)具備下列測(cè)試能力：
☆可單機(jī)獨(dú)立操作，測(cè)試范圍達(dá)2000V及50A。
☆外接大電流擴(kuò)展裝置，檢測(cè)范圍可擴(kuò)展1600A。
測(cè)試參數(shù)多且完整、應(yīng)用領(lǐng)域更廣泛，但只要使用其基本的2項(xiàng)功能：「開啟」電流壓降，「關(guān)閉」電流的漏電流，就可知道大功半導(dǎo)體有沒有老化的現(xiàn)象。
?可移動(dòng)型儀器，使用方便，測(cè)試簡(jiǎn)單快速，立即提供測(cè)試結(jié)果與數(shù)值。
?適用的半導(dǎo)體元件種類多，尤其能測(cè)大功率元件。
?用戶能確實(shí)掌握新采購元件的質(zhì)量，避免用到瑕疵或品。
?完全由計(jì)算機(jī)控制、快速的設(shè)定參數(shù)。
?適用于實(shí)驗(yàn)室和老化篩選的測(cè)試。
?操作非常簡(jiǎn)單、速度快。
?完全計(jì)算機(jī)自動(dòng)判斷、自動(dòng)比對(duì)。
目的和用途 該設(shè)備用于功率半導(dǎo)體模塊（IGBT、FRD、肖特基二極管等）的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試，以表征器件的動(dòng)態(tài)特性，通過測(cè)試夾具的連接，實(shí)現(xiàn)模塊的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試。以下參數(shù)的測(cè)試可以在不同的電壓等級(jí)、電流等級(jí)、溫度、機(jī)械壓力、回路寄生電感以及不同的驅(qū)動(dòng)回路參數(shù)下進(jìn)行。 1.2 測(cè)試對(duì)象 IGBT、FRD、肖特基二極管等功率半導(dǎo)體模塊 2.測(cè)試參數(shù)及指標(biāo) 2.1開關(guān)時(shí)間測(cè)試單元技術(shù)條件 開通時(shí)間測(cè)試參數(shù)： 1、開通時(shí)間ton：5～2000ns±3%±3ns 2、開通延遲時(shí)間td(on)：5～2000ns±3%±3ns 3、上升時(shí)間tr：5～2000ns±3%±3ns 4、開通能量： 0.2～1mJ±5%±0.01mJ 1～50mJ±5%±0.1mJ 50～100mJ±5%±1mJ 100～500mJ±5%±2mJ 5、開通電流上升率di/dt測(cè)量范圍：200-10000A/uS 6、開通峰值功率Pon：10W～250kW
2.2反向恢復(fù)技術(shù)條件 測(cè)試參數(shù)： 1、Irr(反向恢復(fù)電流)：50～1000A 50～200A±3%±1A 200～1000A±3%±2A 2、Qrr (反向恢復(fù)電荷)：1～1000uC 1～50uC±5%±0.1 uC 50～200uC±5%±1 uC 200～1000uC±5%±2 uC 3、trr(反向恢復(fù)時(shí)間)：20～2000ns 20～100±5%±1ns 100～500±5%±2ns 500～2000±3%±5ns 4、Erec(反向關(guān)斷能量損失)：0.5～1000mJ 0.5～1mJ±5%±0.01mJ 1～50mJ±5%±0.1mJ 50～200mJ±5%±1mJ 200～1000mJ±5%±2mJ 測(cè)試條件： 1、正向電流IFM：50～1000A 50～200A±3%±1A 200～1000A±3%±2A 2、-di/dt測(cè)量范圍：200～10000A/us 3、反向關(guān)斷峰值電壓VRRpk：200～1000V±3%±2V 4、dv/dt測(cè)量范圍：100～10000V/us
