封裝用IGBT測試儀價格誠信企業 華科IGBT測試系統

如何執行導通參數與漏電流的量測？

?測試條件中待輸入的數字，必須依照元件生產廠所提供的規格來輸入，而測量結果，亦必須在其所規定的限額內，否則，便為不良品。

大功率I g b t模塊測試系統簡介

我公司所設計生產的半導體元件自動測試系統具備下列測試能力：

☆可單機獨立操作，測試范圍達2000V及50A。

☆外接大電流擴展裝置，檢測范圍可擴展1600A。

測試參數多且完整、應用領域更廣泛，但只要使用其基本的2項功能：「開啟」電流壓降，「關閉」電流的漏電流，就可知道大功半導體有沒有老化的現象。

?可移動型儀器，使用方便，測試簡單快速，立即提供測試結果與數值。

?適用的半導體元件種類多，尤其能測大功率元件。

?用戶能確實掌握新采購元件的質量，避免用到瑕疵或品。

?完全由計算機控制、快速的設定參數。

?適用于實驗室和老化篩選的測試。

?操作非常簡單、速度快。

?完全計算機自動判斷、自動比對。

目的和用途 該設備用于功率半導體模塊（IGBT、FRD、肖特基二極管等）的動態參數測試，以表征器件的動態特性，通過測試夾具的連接，實現模塊的動態參數測試。以下參數的測試可以在不同的電壓等級、電流等級、溫度、機械壓力、回路寄生電感以及不同的驅動回路參數下進行。 1.2 測試對象 IGBT、FRD、肖特基二極管等功率半導體模塊 2.測試參數及指標 2.1開關時間測試單元技術條件 開通時間測試參數： 1、開通時間ton：5～2000ns±3%±3ns 2、開通延遲時間td(on)：5～2000ns±3%±3ns 3、上升時間tr：5～2000ns±3%±3ns 4、開通能量： 0.2～1mJ±5%±0.01mJ 1～50mJ±5%±0.1mJ 50～100mJ±5%±1mJ 100～500mJ±5%±2mJ 5、開通電流上升率di/dt測量范圍：200-10000A/uS 6、開通峰值功率Pon：10W～250kW

2.2反向恢復技術條件 測試參數： 1、Irr(反向恢復電流)：50～1000A 50～200A±3%±1A 200～1000A±3%±2A 2、Qrr (反向恢復電荷)：1～1000uC 1～50uC±5%±0.1 uC 50～200uC±5%±1 uC 200～1000uC±5%±2 uC 3、trr(反向恢復時間)：20～2000ns 20～100±5%±1ns 100～500±5%±2ns 500～2000±3%±5ns 4、Erec(反向關斷能量損失)：0.5～1000mJ 0.5～1mJ±5%±0.01mJ 1～50mJ±5%±0.1mJ 50～200mJ±5%±1mJ 200～1000mJ±5%±2mJ 測試條件： 1、正向電流IFM：50～1000A 50～200A±3%±1A 200～1000A±3%±2A 2、-di/dt測量范圍：200～10000A/us 3、反向關斷峰值電壓VRRpk：200～1000V±3%±2V 4、dv/dt測量范圍：100～10000V/us